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vishay SI2301BDS-T1-E3

P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI2301BDS-T1-E3

データシート: SI2301BDS-T1-E3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 7,829 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2301BDS-T1-E3 概要

P-Channel 20 V 2.2A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

特徴

Halogen-free Option Available

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Manufacturer Vishay Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case SOT-23-3
Transistor Polarity P-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V Id - Continuous Drain Current 2.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance 100 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 450 mV Qg - Gate Charge 10 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 900 mW Channel Mode Enhancement
Tradename TrenchFET Series SI2
Brand Vishay Semiconductors Configuration Single
Fall Time 20 ns Forward Transconductance - Min 6.5 S
Height 1.45 mm Length 2.9 mm
Product Type MOSFET Rise Time 40 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 30 ns
Typical Turn-On Delay Time 20 ns Width 1.6 mm
Part # Aliases SI2301BDS-T1-BE3 SI2301BDS-E3

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Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
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  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The SI2301BDS-T1-E3 is a small signal N-channel MOSFET transistor designed for low voltage applications. It features a high-speed switching capability and low on-state resistance, making it ideal for use in power management circuits, battery chargers, and DC-DC converters. The compact package size and low gate threshold voltage enhance its efficiency and performance in various electronic applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of SI2301BDS-T1-E3 chip are SI2301BDS-T1-E3, SI2301DS-T1-GE3, SI2301DS-T1-GE3 and IPD50N03S4L-06.
  • Features

    - N-channel MOSFET - Low on-resistance - Small form factor - High performance - Suitable for a wide range of applications - RoHS compliant - Low gate threshold voltage - Low input capacitance - 20 V drain-source voltage - 100 mA continuous drain current
  • Pinout

    SI2301BDS-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET transistor with a pin count of 3, consisting of a gate, source, and drain. It is typically used for low voltage applications such as power management in portable devices.
  • Manufacturer

    The manufacturer of SI2301BDS-T1-E3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a global company that specializes in manufacturing discrete semiconductors and passive electronic components for a wide range of applications, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. They are known for their high-quality and reliable products in the electronics industry.
  • Application Field

    The SI2301BDS-T1-E3 is commonly used in applications such as power management, battery protection, load switching, and voltage regulation in various electronic devices. Its low on-resistance and high current capacity make it suitable for use in portable electronics, power tools, and other battery-operated systems.
  • Package

    The SI2301BDS-T1-E3 chip has a SOT-23 package type. It is a surface mount form with three leads. The size of the chip is approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

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