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注文金額が
$5000
vishay SI7617DN-T1-GE3
Silicon-based metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET) with P-channel configuration, offering a current capacity of 13
ブランド: Vishay
製造元部品 #: SI7617DN-T1-GE3
データシート: SI7617DN-T1-GE3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: PowerPAK-1212-8
RoHS ステータス:
在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 1 | $0.473 | $0.473 |
| 10 | $0.421 | $4.210 |
| 30 | $0.397 | $11.910 |
| 100 | $0.373 | $37.300 |
| 500 | $0.306 | $153.000 |
| 1000 | $0.298 | $298.000 |
在庫あり: 9,458 PCS
SI7617DN-T1-GE3 概要
P-Channel 30 V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
特徴
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
応用
SWITCHING仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 12.3 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V | Qg - Gate Charge | 39 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 52 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | TrenchFET | Series | SI7 |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Single |
| Fall Time | 9 ns, 12 ns | Forward Transconductance - Min | 35 S |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 9 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 30 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 11 ns | Part # Aliases | SI7617DN-GE3 |
| Unit Weight | 0.032487 oz |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The SI7617DN-T1-GE3 is a power management IC (PMIC) designed for use in a variety of applications including tablets, notebooks, and other handheld devices. It features a dual step-down converter, LDO regulator, and I2C interface for monitoring and programming settings. This chip offers high efficiency and reliable performance for power management needs in portable electronics.
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Equivalent
The equivalent products of SI7617DN-T1-GE3 chip are SI7620DN-T1-GE3, SI7618DN-T1-GE3, and SI7621DN-T1-GE3. These chips are all dual N-channel 30 V MOSFETs with integrated Schottky diode, ideal for DC-DC converters, synchronous buck converters, and load switches in various electronic applications. -
Features
SI7617DN-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a 30V Vds rating and 50A continuous drain current capability. It has a low on-resistance of 4.5m ohm and a compact 3x3mm PowerPAK package. This MOSFET is suitable for high power industrial and automotive applications. -
Pinout
The SI7617DN-T1-GE3 has a 7 pin count and is a synchronous buck regulator IC. It is designed to deliver a regulated output voltage while operating from a wide input voltage range. It features integrated FETs, a current limit, and over-temperature protection. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI7617DN-T1-GE3 is Vishay Intertechnology. Vishay is a multinational company that produces electronic components for a variety of industries, including automotive, telecommunications, and consumer electronics. They specialize in passive components such as resistors, capacitors, and inductors, as well as discrete semiconductors and power management products. -
Application Field
The SI7617DN-T1-GE3 is commonly used in power management applications such as DC-DC converters, battery chargers, and voltage regulators. It is also suitable for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications that require efficient power management and voltage regulation. -
Package
The SI7617DN-T1-GE3 chip comes in a PowerPAK® SO-8 package. It is a dual N-channel MOSFET in a surface-mount configuration and has a size of 5mm x 6mm.
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