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vishay SI2305DS-T1-E3

Name: SI2305DS-T1-E3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Transistor 3.5 A, 8 V, P-Channel, Si

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI2305DS-T1-E3

データシート: SI2305DS-T1-E3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2305DS-T1-E3 概要

The SI2305DS-T1-E3 is a P-channel enhancement mode MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) that is designed for low voltage, high-speed switching applications. It has a maximum drain-source voltage (Vds) of -20V and a continuous drain current (Id) of -3.2A, making it suitable for a wide range of portable electronics and battery-operated devices.This MOSFET has a low on-resistance of 175mOhms at a gate-source voltage (Vgs) of -4.5V, ensuring efficient power handling and minimal power loss during operation. It also has a low threshold voltage (Vgs(th)) of -1 to -2.5V, allowing for easy control and triggering of the transistor.The SI2305DS-T1-E3 comes in a compact SOT-23 package, making it ideal for space-constrained applications where size and weight are critical factors. It has a maximum operating temperature of 150°C, ensuring reliability and stability under various working conditions.

特徴

SI2305DS-T1-E3 is a P-channel MOSFET transistor with a low on-resistance of 0

17 ohms, a max continuous drain current of 3

3A, and a max power dissipation of 2

It has a compact SOT-23 package and is designed for use in battery management, power management, and load switching applications

応用

The SI2305DS-T1-E3 is a small signal MOSFET transistor commonly used in a wide range of applications including power management, motor control, battery protection, and DC-DC converters

It is particularly suitable for low voltage and low power applications where efficient switching is required

Its compact size and low on-state resistance make it ideal for portable electronics and other small form factor devices

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Brand	Vishay / Siliconix
Product Type	MOSFET	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Part # Aliases	SI2305DS-E3
Unit Weight	0.000282 oz

配送

	配送料	リードタイム
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ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

SI2305DS-T1-E3 is a chip widely used in electronic devices. It is a N-channel MOSFET transistor with a maximum voltage rating of 20V and a continuous drain current of 3.2A. The chip's compact size, low on-resistance, and fast switching capabilities make it suitable for various applications, including power management, battery charging, and load switching.
Equivalent

Some equivalent products of the SI2305DS-T1-E3 chip include MMBT2305LT1G, NDS2305NT1G, and BSS84LT1G. These chips are all N-channel MOSFET transistors with similar specifications and functionalities.
Features

The SI2305DS-T1-E3 is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. It has a maximum drain-source voltage of 20V, continuous drain current of 1.6A, and low on-resistance. This MOSFET offers low power dissipation, high efficiency, and is suitable for a wide range of applications, including power management and load switching.
Pinout

The SI2305DS-T1-E3 is a dual N-channel enhancement mode MOSFET transistor. It has 8 pins and serves as a switch by controlling the flow of current through its terminals. The pin count typically includes gate, source, and drain terminals for both MOSFET transistors present in the package.
Manufacturer

The manufacturer of the SI2305DS-T1-E3 is Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductor is a global semiconductor company that designs, manufactures, and supplies a wide range of components for various industries, including automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial applications.
Application Field

The SI2305DS-T1-E3 is a small signal N-channel MOSFET transistor designed for high-speed switching applications. It can be used in a variety of areas, including but not limited to power management circuits, portable electronic devices, battery-powered systems, and low-voltage motor drives. Its compact size and high switching capabilities make it suitable for applications where efficiency and space savings are important.
Package

The SI2305DS-T1-E3 chip has a package type of SOT-23-3. It comes in the form of a surface mount device (SMD). The size of the chip is compact and small, as per the SOT-23-3 package standard.