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SI2356DS-T1-GE3

Name: SI2356DS-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Transistor MOSFET for N-channel operation

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI2356DS-T1-GE3

データシート: SI2356DS-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 5,674 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2356DS-T1-GE3 概要

Introducing the SI2356DS-T1-GE3, a high-quality N-Channel MOSFET transistor that can handle a continuous drain current of 4.3A and a drain-source voltage of 40V. With an incredibly low on-resistance of 0.042ohm at a test voltage of 10V, this transistor offers superior efficiency and performance for your circuit designs. Its threshold voltage of 1.5V ensures accurate and reliable operation, making it an excellent choice for a wide range of high-power electronic applications

特徴

None

応用

DC/DC Converter |Load Switch |LED Backlighting |Power Management

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Id - Continuous Drain Current	4.3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	51 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 12 V, + 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.5 V
Qg - Gate Charge	3.8 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.7 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	6 ns
Height	1.45 mm	Length	2.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	12 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	13 ns
Typical Turn-On Delay Time	6 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	SI2356DS-T1-BE3

配送

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1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

SI2356DS-T1-GE3 is an advanced power MOSFET chip developed by Vishay Siliconix. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for various applications in power management and conversion systems. The chip is designed to improve efficiency and reduce power losses, enabling enhanced performance and compact device designs.
Features

SI2356DS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET transistor with a compact industry-standard SOT-23 package. It has a maximum drain-source voltage of 20V, continuous drain current of 3A, and low on-resistance. It is suitable for low-power switching applications, offering reliable performance, compact size, and ease of use.
Pinout

The SI2356DS-T1-GE3 is a dual P-channel enhancement-mode transistor. It has a pin count of 6 pins. The function of this transistor is to control the flow of electrical current between the source and drain terminals, allowing for switching and amplification of electrical signals.
Manufacturer

The manufacturer of the SI2356DS-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is an American company that specializes in the production and supply of discrete semiconductors and passive electronic components. It is a global leader in the industry, providing innovative solutions to a wide range of sectors, including automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial equipment.
Application Field

The SI2356DS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET transistor. It can be used in a variety of applications, such as power management, battery charging, load switching, and DC-DC converters. Its compact size and low on-resistance make it suitable for portable devices, automotive systems, and other small-scale electronics.
Package

The SI2356DS-T1-GE3 chip has a package type of TSOP-6, a form of Surface Mount, and a size of 2.9mm x 1.6mm.