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vishay SI2319CDS-T1-GE3

Name: SI2319CDS-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Metal-Oxide Semiconductor Transistor for Low-Power Applications

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI2319CDS-T1-GE3

データシート: SI2319CDS-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2319CDS-T1-GE3 概要

MOSFET,P CH,40V,4.4A,DIODE,SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage Vds:-40V; On State Resistance:0.064ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Voltage Vgs Max:-20V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; Current Id Max:-3.1A; Power Dissipation:1.25W

特徴

Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition TrenchFET® Power MOSFET 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

応用

SWITCHING

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Id - Continuous Drain Current	4.4 A	Rds On - Drain-Source Resistance	77 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.2 V
Qg - Gate Charge	21 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	8 ns
Height	1.45 mm	Length	2.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	9 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	20 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-GE3

配送

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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The SI2319CDS-T1-GE3 chip is a power MOSFET designed for use in various electronics applications. It features a compact size, low on-resistance, and high efficiency, making it ideal for power management in portable devices, consumer electronics, and industrial equipment. It offers high performance and reliable operation in a small form factor.
Equivalent

The equivalent products of SI2319CDS-T1-GE3 chip are SI2319CDS-T1-E3, SI2319CDS-T1-GE3, SI2319CDS-T1-GE (Discontinued), SI2319CDS-T1-E3 (Discontinued).
Features

SI2319CDS-T1-GE3 is a P-channel enhancement mode Field Effect Transistor (FET) with a 30V drain-source voltage rating and ±12A drain current rating. It is RoHS-compliant, has low on-resistance, and is suitable for use in various power management applications.
Pinout

The SI2319CDS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. It functions as a high-speed switching device in a variety of applications, including power management, load switches, and battery management systems.
Manufacturer

Vishay Siliconix is the manufacturer of the SI2319CDS-T1-GE3. They are a global company specializing in the design and manufacturing of discrete semiconductors and passive electronic components. They focus on creating innovative solutions for a wide range of industries, including automotive, telecommunications, and consumer electronics.
Application Field

The SI2319CDS-T1-GE3 is commonly used in various applications including power management, load switching, battery charging, and motor control. It is suitable for use in products such as smartphones, tablets, laptops, power tools, and other portable electronic devices that require high efficiency power switching and control.
Package

The SI2319CDS-T1-GE3 chip is a surface mount package type with a form of SOT-23 and a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.3mm.