注文金額が
$5000vishay SI4816BDY-T1-GE3
30V N-type MOSFET with a continuous drain current of 5.8A and a pulsed drain current of 8.2A, housed in an 8-pin SOIC package on Tape and Reel (T/R)
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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ブランド: Vishay
製造元部品 #: SI4816BDY-T1-GE3
データシート: SI4816BDY-T1-GE3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOIC-8
製品の種類: FET, MOSFET Arrays
SI4816BDY-T1-GE3 概要
Mosfet Array 30V 5.8A, 8.2A 1W, 1.25W Surface Mount 8-SOIC
![SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3](/files/uploads/product/b/9116bd74724b4f73a6f74207af2dc6f3.webp)
特徴
- Halogen-free
- LITTLE FOOT® Plus power MOSFET
- 100% Rg tested
応用
- Industrial
- Power Management
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOIC-8 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 2 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V | Id - Continuous Drain Current | 6.8 A, 11.4 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 11.5 mOhms, 18.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V | Qg - Gate Charge | 7.8 nC, 11.6 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 1.4 W, 2.4 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | TrenchFET | Series | SI4 |
Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Dual |
Fall Time | 9 ns, 11 ns | Forward Transconductance - Min | 30 S, 31 S |
Height | 1.75 mm | Length | 4.9 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 9 ns, 9 ns |
Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 2 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns, 31 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 11 ns, 13 ns | Width | 3.9 mm |
Part # Aliases | SI4816DY-T1-E3-S |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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SI4816BDY-T1-GE3 is a p-channel enhancement mode power MOSFET chip designed for use in power management and DC-DC converter applications. It features low on-resistance, high efficiency, and reliable performance. The chip is suitable for a wide range of electronic devices requiring power switching and voltage regulation.
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Equivalent
Equivalent products of SI4816BDY-T1-GE3 chip include IRF7468PBF, IRF7468TRPBF, IPB47N10NF3, IPB47N10N3G, IPD47N10S3-2, and IPD47N10S3-2. These are power MOSFETs with similar specifications such as voltage ratings, current ratings, and package type. They can be used as replacements for SI4816BDY-T1-GE3 in various applications. -
Features
SI4816BDY-T1-GE3 is a P-channel MOSFET with a 30V drain-source voltage and 5.9A current rating. It features low on-resistance and a small form factor, making it suitable for power management applications in portable devices. It is RoHS-compliant and can handle high-frequency operation. -
Pinout
The SI4816BDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include gate (G), drain (D), and source (S) for each channel. It is commonly used for power management applications in various electronic devices. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI4816BDY-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. Vishay Intertechnology is a global company specializing in the design, manufacture, and distribution of a wide range of electronic components. They are known for producing high-quality semiconductors, passive components, and sensors for various industries including automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
SI4816BDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET suitable for use in various applications such as power management, load switching, battery protection, and LED lighting. It is commonly used in consumer electronics, automotive systems, industrial equipment, and power supplies where high efficiency and reliability are required. -
Package
The SI4816BDY-T1-GE3 chip is a PowerPAK SO-8 package with a dual N-channel MOSFET form. The package size is 5mm x 6mm x 1mm.
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