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vishay SI2305CDS-T1-GE3 48HRS

High Current Capability, Low Voltage Operation

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI2305CDS-T1-GE3

データシート: SI2305CDS-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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数量 単価 外部価格
5 $0.085 $0.425
50 $0.074 $3.700
150 $0.069 $10.350
500 $0.062 $31.000
3000 $0.059 $177.000
6000 $0.057 $342.000

在庫あり: 9,458 PCS

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SI2305CDS-T1-GE3 概要

MOSFET, P-CH, 8V, 5.8A, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-5.8A; Drain Source Voltage Vds:-8V; On Resistance Rds(on):28mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:960mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:-5.8A; Power Dissipation Pd:960mW; Voltage Vgs Max:8V

特徴

  • None
  • 応用

    Load Switch for Portable Devices |DC/DC Converter

    仕様

    パラメータ 価値 パラメータ 価値
    Product Category MOSFET RoHS Details
    Technology Si Mounting Style SMD/SMT
    Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity P-Channel
    Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 8 V
    Id - Continuous Drain Current 5.8 A Rds On - Drain-Source Resistance 35 mOhms
    Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V
    Qg - Gate Charge 12 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
    Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1.7 W
    Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
    Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
    Configuration Single Fall Time 10 ns
    Height 1.45 mm Length 2.9 mm
    Product Type MOSFET Rise Time 20 ns
    Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
    Transistor Type 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time 40 ns
    Typical Turn-On Delay Time 20 ns Width 1.6 mm
    Part # Aliases SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3

    配送

    配送タイプ 配送料 リードタイム
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    UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
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    パッキング

    • 製品

      ステップ1 :製品

    • 真空包装

      ステップ2 :真空包装

    • 静電気防止袋

      ステップ3 :静電気防止袋

    • 個包装

      ステップ4 :個包装

    • 梱包箱

      ステップ5 :梱包箱

    • バーコード配送タグ

      ステップ6 :バーコード配送タグ

    すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

    社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

    私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

    すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

    • ESD
    • ESD

    パーツポイント

    • SI2305CDS-T1-GE3 is a chip that belongs to the NVM N-Channel MOSFET family. It is designed with a standard ON resistance of 0.046 ohms and a maximum drain current of 3 A. The chip offers enhanced performance and reliability for power management applications, providing efficient power handling capabilities.
    • Equivalent

      Some equivalent products to the SI2305CDS-T1-GE3 chip are the SI2305BDS-T1-GE3, SI2305DDS-T1-GE3, and SI2305EDS-T1-GE3. These chips have similar specifications and functionality, making them suitable alternatives for the SI2305CDS-T1-GE3.
    • Features

      The SI2305CDS-T1-GE3 is a small-signal MOSFET transistor with a low on-resistance and low threshold voltage. It has a compact SOT-23 surface-mount package and is suitable for a wide range of applications such as switching, amplification, and voltage regulation.
    • Pinout

      The SI2305CDS-T1-GE3 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The pin functions include Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins.
    • Manufacturer

      The manufacturer of the SI2305CDS-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, an American semiconductor company.
    • Application Field

      The SI2305CDS-T1-GE3 is a small signal field-effect transistor (FET) that is commonly used in applications such as low voltage switching, power management, and amplification circuits. It is suitable for use in various electronic devices like smartphones, tablets, and portable electronics due to its compact size and low power consumption.
    • Package

      The SI2305CDS-T1-GE3 chip is packaged in a SOT-23 form factor. The SOT-23 package has three pins and small dimensions of approximately 2.94mm x 1.30mm x 1.30mm.

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