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vishay SI7178DP-T1-GE3

Name: SI7178DP-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-power MOSFET with 100V voltage rating, 60A current rating, and 104W power dissipation, featuring a low resistance of 14mohm at 10V

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI7178DP-T1-GE3

データシート: SI7178DP-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: PowerPAK-SO-8

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI7178DP-T1-GE3 概要

N CHANNEL MOSFET, 100V, 60A, PowerPAK; T; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):14mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4.5V; Power Dissipation Pd:6.25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:60A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:PowerPAK; Power Dissipation Pd:104W; Power Dissipation Pd:6.25W; Rise Time:10ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4.5V; Voltage Vgs th Min:2.5V

特徴

- Single-channel, N-channel, enhancement-mode, metal oxide, MOSFET transistor
- PowerPAKR SO-8 package
- Typical turn-off delay time of 27 ns
- Rise-time of 10 ns
- Operating temperature range of -55 C

応用

SWITCHING

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	PowerPAK-SO-8
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V	Id - Continuous Drain Current	60 A
Rds On - Drain-Source Resistance	14 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4.5 V	Qg - Gate Charge	47.5 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	104 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SI7
Brand	Vishay Semiconductors	Configuration	Single
Fall Time	11 ns	Forward Transconductance - Min	28 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	10 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	27 ns
Typical Turn-On Delay Time	21 ns	Part # Aliases	SI7178DP-GE3
Unit Weight	0.017870 oz

配送

	配送料	リードタイム
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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The SI7178DP-T1-GE3 is a chip manufactured by Vishay Intertechnology. It is a high-precision, low-power, analog temperature sensor. The chip offers accuracy and stability, making it ideal for various applications, including industrial and automotive systems, consumer electronics, and more. It operates with a wide voltage range and provides a digital output for easy integration into microcontrollers or other devices.
Equivalent

There are several equivalent products to the SI7178DP-T1-GE3 chip, including the SI7178DP-T1-GE3/A, SI7178DP-T3-GE3, SI7178DP-T3-GE3/A, and SI7178DP-T1-E3.
Features

The SI7178DP-T1-GE3 is a power MOSFET that operates at a voltage supply range of -20V to 40V. It has a low on-resistance, high current capacity, and good thermal performance. The device is suitable for use in automotive and industrial applications due to its high reliability and efficiency.
Pinout

The SI7178DP-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET with 8 pins. It is commonly used in power management applications. The pin count and function include gate (G), source (S), drain (D), and substrate (BS). Additional pins may include thermal pad (TP), feedback (FB), enable (EN), and voltage reference (VR).
Manufacturer

The manufacturer of the SI7178DP-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is an American company that specializes in the design and production of a wide range of semiconductors and electronic components, including power MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) like the SI7178DP-T1-GE3.
Application Field

The SI7178DP-T1-GE3 is a high-speed, low-power, low-voltage differential signal conditioner. It is commonly used in various applications such as data communication systems, high-speed serial links, embedded systems, and general-purpose digital signal conditioning.
Package

The package type of the SI7178DP-T1-GE3 chip is a DPAK (TO-252) package. The form is surface mount. The size of the chip is approximately 6.65mm x 9.35mm x 2.29mm.