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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

vishay SI2308BDS-T1-GE3

Name: SI2308BDS-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

The SI2308BDS-T1-GE3 is a SOT-23 packaged N-channel MOSFET with a 60V voltage rating and a 1.9A current capacity

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI2308BDS-T1-GE3

データシート: SI2308BDS-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

製品の種類: 金属酸化物半導体フィールド効果トランジスタ（MOSFET）

RoHS ステータス:

在庫状況: 9458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2308BDS-T1-GE3 概要

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB

特徴

Halogen-free according to IEC 61249-2-21 available,TrenchFET® power MOSFET,100 % Rg and UIS tested

応用

Battery Switch |DC/DC Converter

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	2.3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	156 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	2.3 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	1.66 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	7 ns
Product Type	MOSFET	Rise Time	10 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	10 ns
Typical Turn-On Delay Time	4 ns	Part # Aliases	SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-GE3
Unit Weight	0.000282 oz

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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支払条件		ハンドフィー
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	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The SI2308BDS-T1-GE3 chip is a power MOSFET, which is an electronic component used in power management applications. It is designed to handle high currents and voltage levels efficiently and reliably. The chip is compact and provides low on-resistance and fast switching performance. It is commonly used in various industrial and automotive applications, such as motor controls, power supplies, and inverters.
Equivalent

The equivalent products of the SI2308BDS-T1-GE3 chip include Si2308BDS-T1-GE2, SI2308BDS-T1-GE3R, and SI2318DS-T1-GE3.
Features

The SI2308BDS-T1-GE3 is a small-signal MOSFET transistor. It has a low on-resistance of 0.08 ohms, suitable for high-frequency switching applications. It has a high current capacity of 3.5A and a voltage rating of 20V. It is designed for low power consumption and efficiency.
Pinout

The SI2308BDS-T1-GE3 is a MOSFET transistor. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and the source. It is commonly used in power management applications due to its small size and low on-resistance.
Manufacturer

The manufacturer of the SI2308BDS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a company that specializes in the design and production of discrete semiconductors and passive electronic components.
Application Field

The SI2308BDS-T1-GE3 is a small signal MOSFET transistor that can be used in a variety of applications, including power management, motor control, and general-purpose switching.
Package

The SI2308BDS-T1-GE3 chip is packaged in a SOT-23 form factor. The dimensions of a SOT-23 package are typically 2.9 mm x 1.3 mm x 1.0 mm or smaller.