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vishay SI7461DP-T1-E3

Name: SI7461DP-T1-E3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Featuring a 60-volt voltage rating and an 8

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI7461DP-T1-E3

データシート: SI7461DP-T1-E3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: PowerPAK-SO-8

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,987 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI7461DP-T1-E3 概要

The SI7461DP-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET power transistor from Vishay Siliconix. This transistor features a low on-resistance of 29 mΩ at a VGS of 10V, making it suitable for high efficiency power management applications. It has a continuous drain current rating of 40A and a maximum operating temperature of 175°C, ensuring reliable operation in a variety of conditions.The SI7461DP-T1-E3 is housed in a PowerPAK 1212-8 package, which provides high power density and efficient heat dissipation. This package also offers low parasitic inductance, allowing for fast switching speeds and reduced power losses. The MOSFET is designed for use in synchronous buck converters, motor control, battery management systems, and other power electronics applications.This power transistor is RoHS-compliant and halogen-free, making it environmentally friendly and suitable for use in various industries. Its compact size and high performance characteristics make it a popular choice for designers looking to optimize power efficiency in their applications.

特徴

SI7461DP-T1-E3 is a P-channel MOSFET with a low threshold voltage of -1

1V, ideal for low-voltage applications

It has a maximum drain-source voltage of -20V and a continuous drain current of -3

This MOSFET is designed for use in DC-DC converters, load switches, and power management applications, offering high performance in a compact package

応用

The SI7461DP-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET specifically designed for use in battery protection circuits, power management applications, and reverse polarity protection

It is suitable for various consumer electronics, industrial, automotive, and portable electronic devices where efficient power management and overvoltage protection are required

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	PowerPAK-SO-8	Transistor Polarity	P-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	14.4 A	Rds On - Drain-Source Resistance	14.5 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V
Qg - Gate Charge	121 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	5.4 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI7	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	90 ns
Forward Transconductance - Min	31 S	Height	1.04 mm
Length	6.15 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	20 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	205 ns	Typical Turn-On Delay Time	20 ns
Width	5.15 mm	Part # Aliases	SI7461DP-E3
Unit Weight	0.017870 oz

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