注文金額が
$5000vishay SI2323DS-T1-GE3
Features: Low resistance P Channel MOSFETs with a 1V threshold voltage at 250uA current
ブランド: Vishay
製造元部品 #: SI2323DS-T1-GE3
データシート: SI2323DS-T1-GE3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-23-3
RoHS ステータス:
在庫状況: 6,473 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
数量 | 単価 | 外部価格 |
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1 | $0.400 | $0.400 |
10 | $0.331 | $3.310 |
30 | $0.301 | $9.030 |
100 | $0.264 | $26.400 |
500 | $0.248 | $124.000 |
1000 | $0.238 | $238.000 |
在庫あり: 6,473 PCS
SI2323DS-T1-GE3 概要
P-Channel 20 V 3.7A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
特徴
- Small Signal MOSFET
- Enhancement Mode
- Drain-Source Voltage: 20V
- Continuous Drain Current: 2A
- Low On-Resistance: 76mOhm
- Compact SOT-23 Package
- High Efficiency and Power Density
- Suitable for portable electronics and power management applications
応用
- Battery management systems
- Motor drive circuits
- Power management in portable electronics
- DC-DC converters
- Switching regulators
- Smart power switches
- Pulse transformers
- Industrial automation systems
- Renewable energy systems
- LED lighting
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Id - Continuous Drain Current | 4.7 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 39 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
Qg - Gate Charge | 12.5 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | Single | Fall Time | 48 ns |
Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 43 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 71 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 25 ns | Width | 1.6 mm |
Part # Aliases | SI2323DS-T1-BE3 SI2323DS-GE3 |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 | |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 | |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 | |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. | |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The SI2323DS-T1-GE3 is a power MOSFET from Vishay Siliconix that offers high efficiency in a compact package. It is ideal for applications requiring low power consumption and high switching speeds. With a low on-resistance and fast switching capabilities, this chip is commonly used in power management circuits, battery protection, and DC-DC converters.
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Equivalent
The equivalent products of SI2323DS-T1-GE3 chip are SI2302DS-T1-GE3, SI2307DS-T1-GE3, SI2304DS-T1-GE3, SI2308DS-T1-GE3, SI2306DS-T1-GE3, SI2317DS-T1-GE3, and SI2316DS-T1-GE3. These are alternative options that can be used as replacements for the SI2323DS-T1-GE3 chip. -
Features
SI2323DS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET transistor with a 20V drain-source voltage and a -2.4A drain current. It features low on-resistance, fast switching speed, and high power density. This transistor is suitable for portable electronics, power management, and other low voltage applications. -
Pinout
The SI2323DS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET transistor with a pin count of 6. It is used for power management applications, such as load switches and battery protection. Pin functions include two gate pins (1 and 6), two source pins (2 and 5), and two drain pins (3 and 4). -
Manufacturer
Vishay Intertechnology is the manufacturer of SI2323DS-T1-GE3. It is an American company specializing in discrete electronic components and passive components. Vishay Intertechnology produces a wide range of products including resistors, capacitors, inductors, diodes, and transistors for various industries such as automotive, industrial, computing, telecommunications, and consumer electronics. -
Application Field
The SI2323DS-T1-GE3 can be used in a variety of applications such as power management in portable devices, voltage regulation, and load switching. It is commonly used in battery-powered devices, including smartphones, tablets, and handheld gaming consoles, as well as in industrial applications requiring efficient power management and control. -
Package
The SI2323DS-T1-GE3 chip comes in a surface mount package type, with a form of MOSFET and a size of SC-70.
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