注文金額が
$5000vishay SI2319DS-T1-E3
0.082 ohm on-resistance and 0.75W power dissipation capability
ブランド: Vishay
製造元部品 #: SI2319DS-T1-E3
データシート: SI2319DS-T1-E3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-23-3
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
SI2319DS-T1-E3 概要
MOSFET,P CH,40V,2.3A,SOT23-3; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-3A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):65mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-3V; Power Dissipation Pd:750mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:-2.3A; Power Dissipation Pd:750mW; Voltage Vgs Max:-20V
特徴
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
Id - Continuous Drain Current | 3 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 82 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
Qg - Gate Charge | 17 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | Single | Fall Time | 25 ns |
Forward Transconductance - Min | 7 S | Height | 1.45 mm |
Length | 2.9 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 15 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns | Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
Width | 1.6 mm | Part # Aliases | SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-E3 |
Unit Weight | 0.000282 oz |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
---|---|---|
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 | |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 | |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 | |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. | |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
-
ステップ1 :製品
-
ステップ2 :真空包装
-
ステップ3 :静電気防止袋
-
ステップ4 :個包装
-
ステップ5 :梱包箱
-
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
-
The SI2319DS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) chip that is commonly used in high frequency switching applications. This chip has a low gate capacitance and low on-resistance, making it ideal for use in DC-DC converters, voltage regulators, and switching power supplies. It features a compact surface mount package and can operate at high temperatures, making it suitable for use in a wide range of industrial and automotive applications.
-
Equivalent
Equivalent products to SI2319DS-T1-E3 chip include SI2319DS-T1-GE3, SI2319DS-T1-RE3, and SI2319DS-T1-WE3. These are variations with different packaging or specifications but serve similar functions. -
Features
The SI2319DS-T1-E3 is a P-channel enhancement mode MOSFET with a voltage rating of -30V, a drain current of -2.5A, and a low threshold voltage. It features high power efficiency and is suitable for a variety of applications including power management and load switching in portable electronics. -
Pinout
The SI2319DS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET. It has a pin count of 6, with three pins per channel (Gate, Drain, Source). It functions as a switch or amplifier in electronic circuits, commonly used in power management applications. -
Manufacturer
The SI2319DS-T1-E3 is manufactured by Vishay Intertechnology, an American company specializing in electronic components and systems for a wide range of industries including automotive, industrial, consumer, and telecommunications. They produce a variety of semiconductor devices, passive components, and integrated circuits. -
Application Field
The SI2319DS-T1-E3 is a P-channel MOSFET transistor commonly used in power management applications such as battery protection circuits, load switches, and DC-DC converters. Its small size, low on-resistance, and high efficiency make it suitable for portable electronics, automotive systems, and industrial equipment. -
Package
The SI2319DS-T1-E3 chip is a dual P-channel MOSFET transistor. It comes in a surface-mount DFN (Dual Flat No-leads) package, with a size of 2x2 mm.
私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します
-
豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。
-
最小注文数量は1個からとなります。
-
最低国際配送料は0.00ドルから
-
全商品365日品質保証