画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
注文金額が
$5000
vishay SI2312CDS-T1-GE3
Single N-Channel 20 V 31.8 mO 8.8 nC Surface Mount Mosfet - SOT-23
ブランド: VISHAY
製造元部品 #: SI2312CDS-T1-GE3
データシート: SI2312CDS-T1-GE3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-23
RoHS ステータス:
在庫状況: 6,000 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 5 | $0.184 | $0.920 |
| 50 | $0.163 | $8.150 |
| 150 | $0.153 | $22.950 |
| 500 | $0.142 | $71.000 |
| 3000 | $0.117 | $351.000 |
| 6000 | $0.113 | $678.000 |
在庫あり: 6,000 PCS
SI2312CDS-T1-GE3 概要
MOSFET,N CH,20V,6A,DIODE,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):26500µohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Power Dissipation Pd:1.25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:5A; Power Dissipation Pd:1.25W; Voltage Vgs Max:8V
特徴
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 31.8 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 8.8 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.1 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 8 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 17 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 31 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 8 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2312CDS-T1-BE3 SI2312CDS-GE3 SI7621DN-T1-GE3 |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
-
![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
-
![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
-
![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
-
![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
-
![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
-
![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
-
The SI2312CDS-T1-GE3 chip is a component used in electronic devices for switching applications. It is a P-Channel MOSFET transistor designed for low voltage applications. This chip offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management tasks. It is commonly used in various consumer electronics, such as smartphones, tablets, and portable devices, to control the flow of electrical currents.
-
Equivalent
The equivalent products of SI2312CDS-T1-GE3 chip include SI2312CDS-T1-GE4, SI2312CDS-T1-GE3R, and SI2312CDS-T1-GE3R2. -
Features
The SI2312CDS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET transistor. It has a low on-resistance, high power and current handling capability, and is suitable for use in various applications such as power management, battery protection, and DC-DC converters. -
Pinout
SI2312CDS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET. It has a pin count of 6. The pin configuration is as follows: Pin 1, Gate 1; Pin 2, Source 1; Pin 3, Drain 1; Pin 4, Source 2; Pin 5, Drain 2; Pin 6, Gate 2. The dual MOSFET is commonly used for power control applications. -
Manufacturer
The manufacturer of SI2312CDS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a company that specializes in developing and manufacturing a wide range of semiconductor devices and electronic components. -
Application Field
The SI2312CDS-T1-GE3 is a MOSFET transistor commonly used in various applications including power management, motor control, switch-mode power supplies, and electronic circuits requiring low voltage and high power efficiency. It is designed for use in a wide range of industries such as automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial automation. -
Package
The SI2312CDS-T1-GE3 chip is packaged in SOT-23 form factor. Its package size is compact and measures approximately 3mm x 1.4mm x 1.1mm.
私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します
-
![製品]( "製品")
豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。
-
![quantity]( "quantity")
最小注文数量は1個からとなります。
-
![shipping]( "shipping")
最低国際配送料は0.00ドルから
-
![保証]( "保証")
全商品365日品質保証
