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vishay SI2302CDS-T1-GE3

Name: SI2302CDS-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Product SI2302CDS-T1-GE3 is an N-channel MOSFET rated for 20 volts and 2.6 amps, packaged in a SOT-23 format

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI2302CDS-T1-GE3

データシート: SI2302CDS-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2302CDS-T1-GE3 概要

Mosfet, N Channel, 20V, 0.045Ohm, 2.6A, To-236, Full Reel; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:2.9A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:2.5V; Power Dissipation:710Mw Rohs Compliant: No |Vishay SI2302CDS-T1-GE3.

特徴

TrenchFET® power MOSFET

応用

Load Switching for Portable Devices |DC/DC Converter

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Id - Continuous Drain Current	2.9 A	Rds On - Drain-Source Resistance	57 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 8 V, + 8 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	850 mV
Qg - Gate Charge	3.5 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	860 mW
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI2	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	7 ns
Height	1.45 mm	Length	2.9 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	7 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	30 ns
Typical Turn-On Delay Time	8 ns	Width	1.6 mm
Part # Aliases	SI2302CDS-T1-BE3 SI2302CDS-GE3

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
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UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
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	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

SI2302CDS-T1-GE3 is a chip that belongs to the MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) family. It is used for power management applications and offers a low on-resistance of around 0.035 ohms, making it suitable for high-efficiency power conversion. The chip operates at a voltage range of 12V and features a compact SOT-23 package.
Equivalent

The equivalent products of the SI2302CDS-T1-GE3 chip are SI2302CDS-T1-GE3R and SI2302CDS-T1-E3.
Features

The SI2302CDS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET transistor with a low on-resistance, suitable for low voltage applications. It has a maximum drain current of 2.3A, a threshold voltage of -0.9V to -1.3V, and is housed in a compact SOT-23 package.
Pinout

The SI2302CDS-T1-GE3 is a SOT-23 N-channel MOSFET that has 3 pins. Pin 1 is the Gate, pin 2 is the Source, and pin 3 is the Drain. The MOSFET is used for switching applications and can handle a maximum voltage of 20V and a maximum current of 1.15A.
Manufacturer

The manufacturer of the SI2302CDS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. Vishay is a global manufacturer of discrete semiconductors and passive electronic components. They specialize in the design, development, and production of a wide range of products including power MOSFETs, diodes, resistors, capacitors, and more, catering to various industries such as automotive, consumer electronics, telecommunications, and industrial applications.
Application Field

The SI2302CDS-T1-GE3 is a power MOSFET transistor. It is commonly used in various applications including power management systems, battery protection circuits, load switches, and other low-voltage and low-power applications.
Package

The package type of the SI2302CDS-T1-GE3 chip is SOT-23. The form is surface mount. The size of the chip is small and compact, measuring approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.