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NXP MRFE6S9060NR1

Name: MRFE6S9060NR1
Rating: 4.5 (10 reviews)

RF Mosfet 28 V 450 mA 880MHz 21.1dB 14W TO-270-2

ブランド: NXP

製造元部品 #: MRFE6S9060NR1

データシート: MRFE6S9060NR1 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-270

製品の種類: RF FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MRFE6S9060NR1 概要

The MRFE6S9060NR1 is a powerful LDMOS transistor engineered for demanding applications in mobile radio, cellular base stations, and wireless communications systems. With a frequency range of 860-960 MHz, it can deliver an impressive 60 watts of output power, making it a highly capable and versatile component for high-power applications. Its high gain of 18.5 dB ensures superior linearity and efficiency, catering to the needs of advanced communication systems. Moreover, the transistor boasts a drain efficiency of 60%, effectively maximizing power output while minimizing heat dissipation, resulting in reliable and consistent performance

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	NXP	Product Category:	RF MOSFET Transistors
RoHS:	Details	Transistor Polarity:	N-Channel
Technology:	Si	Id - Continuous Drain Current:	1.5 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	66 V	Rds On - Drain-Source Resistance:	-
Operating Frequency:	1 GHz	Gain:	21.1 dB
Output Power:	14 W	Minimum Operating Temperature:	- 65 C
Maximum Operating Temperature:	+ 150 C	Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	TO-270	Packaging:	MouseReel
Brand:	NXP Semiconductors	Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single	Height:	2.08 mm
Length:	9.7 mm	Moisture Sensitive:	Yes
Product Type:	RF MOSFET Transistors	Series:	MRFE6S9060N
Factory Pack Quantity:	500	Subcategory:	MOSFETs
Type:	RF Power MOSFET	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 500 mV, 12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.2 V	Width:	6.15 mm
Part # Aliases:	935309637528

配送

	配送料	リードタイム
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フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MRFE6S9060NR1 chip is a high-power RF transistor designed for use in industrial and commercial applications. It operates at a frequency range of 900 MHz to 960 MHz and provides high linearity and efficiency. The chip offers a max output power of 60 watts, making it suitable for various RF power amplifier designs. It is commonly used in wireless communication systems and other high-power RF applications.
Equivalent

There are no direct equivalent products of the MRFE6S9060NR1 chip. However, there are similar products available from other manufacturers, such as the MRF6S9060NR1 from Freescale Semiconductor or the BLF6G27-150 from NXP Semiconductors, which may serve as alternatives. These options should be researched for compatibility and specifications before considering them as replacements.
Features

The MRFE6S9060NR1 is a high-power RF transistor that operates in the frequency range of 860-960 MHz. It has a power output of 60 Watts and offers high gain and efficiency. It is designed for use in applications such as mobile radio, base station, and broadcast systems.
Pinout

The MRFE6S9060NR1 is a 60-watt RF power field-effect transistor (FET) with a pin count of 4. The pin configuration includes a gate, drain, and source, which are the standard pins found in power FET devices. This transistor is commonly used in high-frequency applications such as wireless communications and radar systems.
Manufacturer

The manufacturer of the MRFE6S9060NR1 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a multinational semiconductor manufacturer that specializes in providing high-performance mixed-signal electronics and embedded systems solutions.
Application Field

The MRFE6S9060NR1 is a high-frequency transistor designed for use in industrial and scientific applications, including laser drivers, plasma generators, and radio frequency (RF) amplifiers.
Package

The MRFE6S9060NR1 chip has a package type called "MO-150AB" with a form factor known as "LDMOS." It is a high-voltage, high-power RF power field-effect transistor (FET) with a size of approximately 9.25mm x 22.6mm x 6.1mm.