このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

注文金額が

$5000
得る $50 割引 !

NXP FCP36N60N

N-channel Power MOSFET featuring SUPREMOS innovation

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: FCP36N60N

データシート: FCP36N60N Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-220-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 2,744 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

簡単な見積もり

RFQを提出してください FCP36N60N またはメールでご連絡ください: メール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

FCP36N60N 概要

Elevate your electronic designs with the FCP36N60N MOSFET, a revolutionary product that embodies the cutting-edge technology of the SupreMOS brand. Utilizing a deep trench filling process, this MOSFET stands out from conventional SJ MOSFETs by delivering the lowest Rsp on-resistance, superior switching performance, and rugged reliability. Ideal for a variety of high frequency switching power converter applications, including PFC systems, server/telecom power configurations, FPD TV power implementations, ATX power units, and industrial power needs, the SupreMOS MOSFET offers a reliable and efficient solution to enhance the performance of your projects. Experience the next generation of high voltage super-junction technology with the FCP36N60N MOSFET and unlock new possibilities for your designs

fcp36n60n

特徴

  • RDSON(off) = 200mΩ (Typ.) @ VGS = 6V, ID = 15A
  • Hysteresis control for stable switching behavior
  • Logic level compatible input voltage
fcp36n60n

応用

  • A versatile choice for you.
  • Flexible and reliable option.
  • Meets diverse requirements.

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-220-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 600 V
Id - Continuous Drain Current 36 A Rds On - Drain-Source Resistance 90 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 30 V, + 30 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 4 V
Qg - Gate Charge 86 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 312 W
Channel Mode Enhancement Tradename SupreMOS
Series FCP36N60N Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 4 ns
Forward Transconductance - Min 41 S Height 16.3 mm
Length 10.67 mm Product Type MOSFET
Rise Time 22 ns Factory Pack Quantity 1000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 94 ns Typical Turn-On Delay Time 23 ns
Width 4.7 mm

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

同等部品

のために FCP36N60N コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:

部品番号

ブランド

パッケージ

説明

部品番号 :   IRFP36N60NPBF

ブランド :  

パッケージ :  

説明 :  

部品番号 :   STW36N60M2-EP

ブランド :  

パッケージ :  

説明 :  

部品番号 :   FGH36N60UFD

ブランド :  

パッケージ :  

説明 :  

部品番号 :   IXFK36N60Q

ブランド :  

パッケージ :  

説明 :  

部品番号 :   SPA36N60C3

ブランド :  

パッケージ :  

説明 :  

部品番号 :   PSMN2R6-60PS,127

ブランド :  

パッケージ :  

説明 :  

パーツポイント

  • The FCP36N60N chip is a power MOSFET transistor designed for high power applications. It features a low on-resistance and high switching speeds, making it suitable for use in power supplies, motor control, and other high voltage circuits. The chip offers efficient power management and can handle high current levels, providing reliable performance in demanding applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of the FCP36N60N chip are the SCT30N60N and STD30N60N power MOSFETs, which offer similar specifications and performance characteristics but may have slight variations in their electrical and thermal properties.
  • Features

    FCP36N60N is a Field Stop IGBT designed for efficient power electronics applications. It features a low saturation voltage, low switching loss, high frequency operation, and high current handling capacity. Additionally, it has a built-in diode for protection and is environmentally friendly due to its lead-free package.
  • Pinout

    The FCP36N60N is a power MOSFET transistor. It has 3 pins, namely gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. It is typically used for high power switching applications in various electronic devices.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FCP36N60N is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is an American company that designs, develops, and produces power management and standard semiconductor technology solutions for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
  • Application Field

    -The FCP36N60N is a power MOSFET transistor designed for high-voltage applications. -It can be used in power supplies, motor control circuits, and inverters. -It is suitable for applications requiring high switching speeds, low gate charge, and low on-resistance. -Overall, the FCP36N60N can provide efficient power management and control in various industrial and consumer electronic devices.
  • Package

    The FCP36N60N chip comes in a TO-220 package type, in a standard form with three pins. The size of the package is approximately 10mm in length, 5mm in width, and 5mm in height.

データシート PDF

暫定仕様書 FCP36N60N PDF ダウンロード

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • BLF878

    BLF878

    Ampleon Usa Inc.

    Reliable power switching solution for wireless com...

  • BLF147

    BLF147

    Ampleon Usa Inc.

    Rugged N-channel FET suitable for motor control, l...

  • MJE13009

    MJE13009

    Onsemi

    12 A, 400 V NPN Bipolar Power Transistor

  • FQP9N50C

    FQP9N50C

    Onsemi

    Designed for high-frequency and high-reliability p...

  • FQP18N50V2

    FQP18N50V2

    Onsemi

    TO-220 Packaged N-Channel MOSFET for Rail Mounting

  • FQP12N60C

    FQP12N60C

    Onsemi

    High Voltage N-Channel Transistor