このウェブサイトは Cookie を使用しています。このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。詳細については、こちらをご覧くださいプライバシーポリシー.

画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

NXP MRF6V2300NBR1

Name: MRF6V2300NBR1
Rating: 4.5 (10 reviews)

VHV6 300W TO272WB4N RF MOSFET Transistors

ブランド: Nxp

製造元部品 #: MRF6V2300NBR1

データシート: MRF6V2300NBR1 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-272-4

製品の種類: トランジスタ

RoHS ステータス:

在庫状況: 2723 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

ボムに追加

簡単な見積もり

RFQを提出してください MRF6V2300NBR1 またはメールでご連絡ください: メール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

数量^*

メール^*

連絡先名^*

会社

述べる

MRF6V2300NBR1 概要

The MRF6V2300NBR1 is a high-power RF LDMOS transistor designed for use in broadband and narrowband applications in the HF, VHF, and UHF frequency ranges. It operates at a frequency range of 1.8-470 MHz with a 30:1 VSWR load mismatch capability, making it suitable for a wide variety of radio frequency amplification tasks.This transistor delivers a typical output power of 300 watts with a power gain of 16 dB at 230 MHz, making it ideal for high-power RF amplification applications. It features excellent thermal stability, which ensures reliable performance even under extreme operating conditions.The MRF6V2300NBR1 is housed in a compact, air-cavity-style package, which helps in efficient heat dissipation and ensures long-term reliability. It is also designed to withstand high-voltage and high-current conditions, making it suitable for demanding RF amplifier applications.

特徴

Frequency: 2300 MHz
Output Power: 300W
Gain: 23 dB
Efficiency: 67%
Operating Voltage: 50V
Operating Temperature: -40°C to +150°C
High ruggedness
Broadband performance

応用

Avionics
Radar systems
Broadcast applications
Industrial heating and welding equipment
RF energy applications
Medical equipment
Satellite communication systems
Radio frequency identification (RFID)
Television transmitters
Cellular infrastructure

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	RF MOSFET Transistors	RoHS	Details
Transistor Polarity	N-Channel	Technology	Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	110 V	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TO-272-4	Brand	NXP Semiconductors
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single Dual Drain Dual Gate
Height	2.64 mm	Length	23.67 mm
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	RF MOSFET Transistors
Series	MRF6V2300N	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	MOSFETs	Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	- 500 mV, 10 V	Width	9.07 mm
Part # Aliases	935309671528

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MRF6V2300NBR1 is a high power RF amplifier chip designed for use in various applications such as industrial, scientific, and medical (ISM) bands. It operates in the frequency range of 2300-2700 MHz and offers high efficiency and gain for power amplification needs. This chip is commonly used in wireless communication systems, radar systems, and satellite communications.
Equivalent

Some equivalent products of MRF6V2300NBR1 chip are NXP MRFE6VS25N, Freescale MRF6V4300NBR1, and Ampleon BLF188XR. These chips are also high-power RF transistors suitable for various RF power applications.
Features

The MRF6V2300NBR1 is a high power RF MOSFET transistor designed for broadband RF amplifier applications. It features a frequency range of 1.8-512 MHz, a power output of 300W, a gain of 16dB, and a high efficiency of 70%. Additionally, it has a rugged design for reliable performance in harsh environments.
Pinout

The MRF6V2300NBR1 is a power amplifier transistor with a pin count of 4. Pin 1 is the emitter, pin 2 is the gate, pin 3 is the collector, and pin 4 is the source. It is typically used for high power radar and MRI applications.
Manufacturer

The MRF6V2300NBR1 is manufactured by NXP Semiconductors, a Dutch-American semiconductor manufacturer. NXP Semiconductors specializes in designing and producing a wide range of semiconductor solutions for automotive, industrial, and IoT applications.
Application Field

The MRF6V2300NBR1 is commonly used in high-power RF amplifier applications, such as radar systems, military communications, and industrial heating systems. It is specifically designed for frequencies up to 2300 MHz and offers high power output and efficiency, making it suitable for a wide range of RF power amplification needs.
Package

The MRF6V2300NBR1 chip is a surface mount package type with a form of flange-mount and a size of 2.000 x 1.310 x 0.510 inches.