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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

NXP MRFE6S9125NR1

Name: MRFE6S9125NR1
Rating: 4.5 (6 reviews)

N-channel RF MOSFET, 66V, 5-pin TO-270, with Tape and Reel

ブランド: Nxp

製造元部品 #: MRFE6S9125NR1

データシート: MRFE6S9125NR1 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-270-4

RoHS ステータス:

在庫状況: 3976 個、新しいオリジナル

製品の種類: トランジスタ

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$45.808	$45.808
200	$17.728	$3545.600
500	$17.104	$8552.000
1500	$16.798	$25197.000

In Stock:3976 PCS

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MRFE6S9125NR1 概要

The MRFE6S9125NR1 is a high-power RF transistor designed for high-performance applications in the industrial, scientific, and medical (ISM) frequency bands. It operates in the 915 MHz to 928 MHz frequency range, making it ideal for applications such as industrial heating, medical diathermy, and scientific research.This transistor provides excellent gain and efficiency, with a typical gain of 16 dB and a drain efficiency of 65% at 915 MHz. It can deliver up to 125 watts of RF power with a 50 ohm load, making it suitable for high-power applications that require reliable performance.The MRFE6S9125NR1 features a rugged design that can withstand harsh operating conditions, making it suitable for industrial and scientific applications where durability is essential. It also has built-in protection features such as overtemperature and overvoltage protection, ensuring reliable operation and preventing damage to the transistor.

特徴

Frequency Range: 50 MHz to 1 GHz
Output Power: 31.6 W (PEP) @ 960 MHz
Efficiency: 65% @ 960 MHz
Gain: 16 dB @ 960 MHz
Extended Power Gain for High Efficiency
Integrated ESD Protection

応用

Land mobile radio systems
RF linear power amplifiers
Industrial, scientific, and medical (ISM) applications
FM and digital modulated systems
Automotive radar systems
Communication systems
Television and radio broadcast systems
Test equipment
PCB and module design

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	RF MOSFET Transistors	RoHS	Details
Transistor Polarity	N-Channel	Technology	Si
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	- 500 mV, 66 V	Operating Frequency	880 MHz
Gain	20.2 dB	Output Power	27 W
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	TO-270-4
Brand	NXP Semiconductors	Channel Mode	Enhancement
Configuration	Single	Height	2.64 mm
Length	17.58 mm	Moisture Sensitive	Yes
Number of Channels	1 Channel	Product Type	RF MOSFET Transistors
Series	MRFE6S9125N	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	MOSFETs	Type	RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage	- 500 mV, 12 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.1 V
Width	9.07 mm	Part # Aliases	935314059528
Unit Weight	0.058073 oz

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MRFE6S9125NR1 chip is a high-performance RF power amplifier module designed for wireless infrastructure applications. It operates in the frequency range of 2110-2170 MHz, making it suitable for use in 3G and 4G base stations and small cell systems. It offers high gain and efficiency, allowing for extended coverage and improved network performance.
Equivalent

Some equivalent products of the MRFE6S9125NR1 chip include MRF6S9125N, MRF6S9145N, and MRF6S9160N. These chips are all part of the same series and have similar specifications, making them suitable alternatives for various applications.
Features

The MRFE6S9125NR1 is a high-frequency power transistor with a frequency range up to 1 GHz. It has a single-sided active device configuration, a high gain for better power performance, and a rugged design for high-reliability applications.
Pinout

The MRFE6S9125NR1 is a high-performance RF power field-effect transistor. It has 11 pins and functions as a power amplifier in wireless communication applications.
Manufacturer

NXP Semiconductors is the manufacturer of the MRFE6S9125NR1. It is a semiconductor company that designs and produces a wide range of integrated circuits and semiconductor solutions for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The MRFE6S9125NR1 is a high-power RF transistor commonly used in applications such as cellular base stations, broadcast transmitters, and ISM (industrial, scientific, and medical) equipment. It offers high performance, high power output, and excellent linearity, making it suitable for various RF power amplifier designs.
Package

The MRFE6S9125NR1 chip is available in a power MOSFET package type called NI-780H. The chip is in a surface mount form with a size of 18.4mm x 13.6mm.