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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

NXP MRFE6VP6300HR5

Name: MRFE6VP6300HR5
Rating: 4.5 (10 reviews)

Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 1.8-600 MHz, 300 W, 50 V, CFM4F, RoHS

ブランド: Nxp

製造元部品 #: MRFE6VP6300HR5

データシート: MRFE6VP6300HR5 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT1827-1

製品の種類: RF MOSFET Transistors

RoHS ステータス:

在庫状況: 9458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MRFE6VP6300HR5 概要

RF POWER FET, N CH, 125V, NI-780-4; Transistor Type:RF MOSFET; Drain Source Voltage Vds:125V; Continuous Drain Current Id:100mA; Power Dissipation Pd:300W; Operating Frequency Min:1.8MHz; Operating Frequency Max:600MHz; No. of Pins:4;RoHS Compliant: Yes

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
isExSample	true	orderingCode	935317343178
isDistributor	true	salesNum	MRFE6VP6300HR5
leadTime	12	pack_type	REEL
exclusiveItemType	ITEM_TYPE_SAMPLE	price_flg	N
pack_desc	Reel 13" Q2/T3 in SmallPack	minPackQty	50
status	Not Recommended for New Designs

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MRFE6VP6300HR5 is a high-power RF transistor chip designed for industrial and commercial applications. It features high efficiency and power gain, making it ideal for use in radio frequency power amplifiers. With a frequency range of 1.8 to 600 MHz, this chip offers reliable performance across a wide range of applications.
Equivalent

The equivalent products of the MRFE6VP6300HR5 chip are the Toshiba 2SC2879, the SD1446, and the HG(Huagao) 2SC2879. These are all high-power RF transistors commonly used in linear amplifiers and radio frequency applications.
Features

1. Frequency range: 1.8 - 470 MHz 2. Output power: 300 W 3. Efficiency: >60% 4. High ruggedness and reliability 5. Suitable for linear applications in RF power amplifiers 6. High gain and linearity for improved performance in various applications.
Pinout

The MRFE6VP6300HR5 is a 50V RF power transistor with a 76-pin flange package. It is commonly used in industrial applications, including radio and radar systems. The pin count and function are as follows: the gate is pin 3, the drain is pin 2, and the source is pin 4.
Manufacturer

MRFE6VP6300HR5 is manufactured by NXP Semiconductors, a Dutch multinational semiconductor manufacturer. NXP is a leading provider of high-performance mixed signal and standard product solutions for a wide range of industries including automotive, consumer electronics, and industrial applications.
Application Field

The MRFE6VP6300HR5 is commonly used in high-power applications such as broadcasting, industrial heating, medical equipment, and RF plasma sources. It is particularly suitable for RF energy applications requiring high output power, efficiency, and reliability in the HF and VHF frequency ranges.
Package

The MRFE6VP6300HR5 chip package type is NI-1230H-4, the form is SMD/SMT, and the size is 1.075 mm x 1.007 mm x 0.051 mm.