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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

NXP MRFE6P3300HR3

Name: MRFE6P3300HR3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans RF FET N-CH 66V 5-Pin NI-860C3 T/R

ブランド: NXP

製造元部品 #: MRFE6P3300HR3

データシート: MRFE6P3300HR3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: NI-860C3

製品の種類: RF MOSFET Transistors

RoHS ステータス:

在庫状況: 9458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MRFE6P3300HR3 概要

RF Mosfet 32 V 1.6 A 857MHz ~ 863MHz 20.4dB 270W NI-860C3

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	NXP	Product Category:	RF MOSFET Transistors
RoHS:	Details	Transistor Polarity:	N-Channel
Technology:	Si	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	66 V
Minimum Operating Temperature:	- 65 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	NI-860C3
Packaging:	MouseReel	Brand:	NXP Semiconductors
Channel Mode:	Enhancement	Configuration:	Single Dual Drain Dual Gate
Height:	5.69 mm	Length:	34.16 mm
Product Type:	RF MOSFET Transistors	Series:	MRFE6P3300H
Factory Pack Quantity:	250	Subcategory:	MOSFETs
Type:	RF Power MOSFET	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 500 mV, 12 V
Width:	10.31 mm	Part # Aliases:	935309635128
Unit Weight:	0.223087 oz

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MRFE6P3300HR3 is a high-power RF power transistor designed for use in industrial, scientific, and medical (ISM) applications. It operates at 3300 MHz with a power output of up to 300W and features high efficiency and reliability. This chip is commonly used in RF heating, plasma processing, and high-power amplifiers.
Equivalent

The equivalent products of the MRFE6P3300HR3 chip are the MRF6VP3300H and the MRF6VP3300HR6, which are also LDMOS transistors designed for high-power applications in the 1.8-600 MHz frequency range. These chips have similar specifications and performance characteristics to the MRFE6P3300HR3.
Features

The MRFE6P3300HR3 is a high-power RF transistor designed for 300W pulsed applications in frequencies up to 3300 MHz. It features superior ruggedness, high gain, and low distortion, making it ideal for use in high-power RF applications such as radar systems and communication equipment.
Pinout

The MRFE6P3300HR3 is a High Power RF LDMOS transistor with a pin count of 4. It has the following functions: Pin 1: Gate, Pin 2: Drain, Pin 3: Source, Pin 4: Source. It is designed for high power applications in the HF, VHF, and UHF frequencies.
Manufacturer

The MRFE6P3300HR3 is manufactured by NXP Semiconductors, a Dutch-American semiconductor manufacturer specializing in a wide range of products for the automotive, industrial, mobile, and communication sectors. NXP Semiconductors is known for producing high-performance RF power transistors, including the MRFE6P3300HR3 for RF applications.
Application Field

The MRFE6P3300HR3 is primarily used in high-power RF amplifier applications, such as in telecommunications, radar systems, and industrial heating processes. It is commonly found in high-frequency and high-power amplification systems that require efficient and reliable performance.
Package

The MRFE6P3300HR3 chip is a RF power transistor packaged in a NI-1230H-4S form with 4 leads. It has a size of 10.7 x 14.2 x 3.92 mm.