NXP MRF6VP2600H
NXP Semiconductors Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET, 2-500 MHz, 600 W, 50 V
Ovaga の在庫が豊富にあります MRF6VP2600H トランジスタ から Nxp そして、それらが直接調達されたオリジナルの真新しい部品であることを保証します Nxp 品質テストレポートを提供できます。 MRF6VP2600H ご要望に応じて。 見積もりを取得するには、右側のクイック見積もりフォームに必要な数量、連絡先名、電子メール アドレスを入力するだけです。 弊社営業担当より12時間以内にご連絡させていただきます。
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
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Product Category | NXP Semiconductors |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 | |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 | |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 | |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. | |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The MRF6VP2600H chip is a high-power RF transistor designed for use in industrial, scientific, and medical applications. It operates at 2600 MHz and provides a output power of up to 600 watts. This chip incorporates high voltage MOSFET and is optimized for ruggedness, durability, and high linearity. It is commonly used in telecommunications, radar systems, and other high-power RF applications.
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Equivalent
The equivalent products of the MRF6VP2600H chip are the MRF6VP2600HR5 and MRF6VP2600HSR5. -
Features
The MRF6VP2600H is a high-frequency RF power transistor with a frequency range of 1.8 to 600 MHz. It has a maximum power output of 2600 watts, high gain, and excellent thermal stability. It is suitable for use in applications such as broadcast, industrial, and scientific markets. -
Pinout
The MRF6VP2600H is a high-power RF transistor with a pin count of 4, consisting of Source, Gate, Drain, and Case pins. The function is to amplify RF signals at high power levels, typically used in applications such as amateur radio, broadcast, and industrial equipment. -
Manufacturer
The manufacturer of the MRF6VP2600H is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a multinational semiconductor manufacturer that provides solutions for automotive, industrial, and Internet of Things (IoT) applications. -
Application Field
The MRF6VP2600H is a high-power RF MOSFET transistor designed for use in a variety of applications, including industrial, scientific, medical, broadcast, and aerospace systems. It can be used in RF power amplifiers, radio transmitters, radar systems, and other high-power RF applications that require excellent linearity and high gain. -
Package
The MRF6VP2600H chip is packaged in a NI-1230H-4 package, which is a high power ceramic/metal flange package. Its form factor is a metal-ceramic pill and it has a size of 76.77mm (L) x 39.62mm (W) x 10mm (H).
私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します
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豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。
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最小注文数量は1個からとなります。
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最低国際配送料は0.00ドルから
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全商品365日品質保証