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vishay SI2347DS-T1-GE3
-30V P-MOSFET transistor with unipolar operation and -5A current rating, featuring peak current handling up to -20A and power dissipation of 1
ブランド: Vishay
製造元部品 #: SI2347DS-T1-GE3
データシート: SI2347DS-T1-GE3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-23-3
RoHS ステータス:
在庫状況: 6000 個、新しいオリジナル
製品の種類: 金属酸化物半導体フィールド効果トランジスタ（MOSFET）
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 5 | $0.133 | $0.665 |
| 50 | $0.117 | $5.850 |
| 150 | $0.109 | $16.350 |
| 500 | $0.092 | $46.000 |
| 3000 | $0.088 | $264.000 |
| 6000 | $0.085 | $510.000 |
In Stock:6000 PCS
SI2347DS-T1-GE3 概要
Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-236, 3 PIN
特徴
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 33 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Qg - Gate Charge | 6.9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 9 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 6 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2347DS-T1-BE3 |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
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社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The SI2347DS-T1-GE3 chip is an electronic component used in various applications. It is a high-performance N-Channel MOSFET that is designed to enhance power efficiency and minimize space requirements. This chip offers low ON-resistance and high-speed switching, making it suitable for use in power management circuits, motor control systems, and other electronic devices that require efficient power handling.
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Equivalent
An equivalent product of the SI2347DS-T1-GE3 chip is the SI2347DS-T1-GE3R chip. -
Features
The features of SI2347DS-T1-GE3 include a low on-resistance, low charge gate, high-speed switching, low capacitance, and N-channel TrenchFET. It is designed to provide efficient power management and secure high-performance in a small package. -
Pinout
The SI2347DS-T1-GE3 is a 47-pin integrated circuit (IC). It functions as an N-MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) that enables power management and control in electronic devices. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2347DS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a semiconductor company that specializes in designing, manufacturing, and supplying a wide range of discrete semiconductors and passive components. They offer innovative solutions for various industries including automotive, industrial, consumer electronics, telecommunications, and more. -
Application Field
The SI2347DS-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET used primarily in power management applications such as DC-DC converters, battery chargers, and voltage regulators. It offers low on-resistance, high current capacity, and fast switching capabilities, making it suitable for various power management systems. -
Package
The SI2347DS-T1-GE3 chip has a package type of PowerPAK SO-8, a form of surface mount, and a size of 5mm x 6mm x 1mm.
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