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vishay SI2307BDS-T1-E3
SI2307BDS-T1-E3 is a ROHS-compliant MOSFET suitable for a variety of electronic applications
ブランド: Vishay
製造元部品 #: SI2307BDS-T1-E3
データシート: SI2307BDS-T1-E3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-23-3
RoHS ステータス:
在庫状況: 3,662 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
| 数量 | 単価 | 外部価格 |
|---|---|---|
| 1 | $0.361 | $0.361 |
| 10 | $0.287 | $2.870 |
| 30 | $0.256 | $7.680 |
| 100 | $0.218 | $21.800 |
| 500 | $0.199 | $99.500 |
| 1000 | $0.190 | $190.000 |
在庫あり: 3,662 PCS
SI2307BDS-T1-E3 概要
Vishay SI2307BDS-T1-E3 is a high-quality component that meets industry standards for performance and reliability. This P Channel Mosfet is available in a full reel for convenient handling and storage. While it is not RoHS compliant, it offers exceptional functionality for applications where RoHS compliance is not a strict requirement
特徴
- Advanced Packaging Innovation
- High-Performance Electronics
- Rapid Prototyping Capability
- Reliable Manufacturing Process
応用
- Solar power systems
- Telecommunications devices
- Home automation technology
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 2.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 78 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 750 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 14 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 12 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2307BDS-T1-BE3 SI2307BDS-E3 |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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SI2307BDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET designed for low voltage applications. It features a low on-resistance of 1.9 ohms and a maximum drain-source voltage of -20V. The chip is suitable for battery protection circuits, load switching, and power management systems.
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Equivalent
The equivalent products of SI2307BDS-T1-E3 chip are SI2307EDS-T1-E3, SI2307CDS-T1-E3, SI2307BDS-T1-E3, SI2307ADS-T1-E3, and SI2307DST1GE3. These chips are all N-channel MOSFET transistors with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The SI2307BDS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET with a voltage rating of 20V and a continuous drain current of 2.3A. It features a low on-resistance, fast switching speed, and low gate threshold voltage. This MOSFET is suitable for applications such as power management, load switching, and DC-DC conversion. -
Pinout
The SI2307BDS-T1-E3 is a dual N-channel MOSFET transistor with a pin count of 6. Pin 1 is the gate of the first channel, pin 2 is the source of the first channel, pin 3 is the drain of the first channel, pin 4 is the drain of the second channel, pin 5 is the source of the second channel, and pin 6 is the gate of the second channel. -
Manufacturer
Vishay is the manufacturer of the SI2307BDS-T1-E3. Vishay is a global company that specializes in manufacturing a wide range of electronic components, including semiconductors, resistors, capacitors, and inductors. They provide components for a variety of industries, such as automotive, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The SI2307BDS-T1-E3 is a P-channel MOSFET transistor commonly used in power management applications such as battery charging, voltage regulation, and motor control. It can also be used in load switch circuits, LED lighting, and DC-DC converters due to its low on-resistance and high current capability. -
Package
The SI2307BDS-T1-E3 chip is in a Surface Mount package type with a Dual N-Channel configuration. It comes in a form factor of 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) and has a size of 5mm x 4.7mm.
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