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vishay SI2312BDS-T1-E3

Single N-Channel Surface Mount Power Mosfet with 20V voltage rating and 0.031 Ohms resistance

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: vishay

製造元部品 #: SI2312BDS-T1-E3

データシート: SI2312BDS-T1-E3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 1,783 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2312BDS-T1-E3 概要

The SI2312BDS-T1-E3 MOSFET is a versatile N-channel transistor designed for high-performance power management applications. With a continuous drain current of 3.9A and a drain-source voltage of 20V, this MOSFET provides reliable and efficient operation in various circuit configurations. Its low on-resistance of 47mOhm and threshold voltage of 850mV make it ideal for high-frequency switching tasks, while the SOT-23 package with 3 pins allows for easy integration into compact designs. The maximum power dissipation of 750µW and pulse current of 15A ensure stable performance under challenging conditions, while the SMD marking "M2" enhances its ease of use. Whether used in consumer electronics, automotive systems, or industrial machinery, the SI2312BDS-T1-E3 MOSFET delivers consistent and reliable performance. Engineers and designers can rely on this MOSFET to optimize their circuitry for efficiency and effectiveness, making it a valuable component for a wide range of electronic applications

SI2312BDS-T1-E3

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 20 V
Id - Continuous Drain Current 5 A Rds On - Drain-Source Resistance 31 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 8 V, + 8 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 450 mV
Qg - Gate Charge 12 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 1.25 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 10 ns
Forward Transconductance - Min 30 S Height 1.45 mm
Length 2.9 mm Product Type MOSFET
Rise Time 30 ns Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 35 ns Typical Turn-On Delay Time 9 ns
Width 1.6 mm Part # Aliases SI2312BDS-T1-BE3 SI2312BDS-E3
Unit Weight 0.000282 oz

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パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The SI2312BDS-T1-E3 is a chip commonly used in electronic devices for voltage regulation and power management. It is designed to provide efficient switching capabilities, allowing for better control and regulation of electrical power. The chip is compact in size, making it ideal for applications where space is limited.

  • Features

    The features of SI2312BDS-T1-E3 include a low on-resistance, high current handling capability, and low gate threshold voltage. It is a P-channel MOSFET transistor in a SOT-23 package with a voltage rating of -20V.

  • Pinout

    The SI2312BDS-T1-E3 is a MOSFET transistor with a 3-pin configuration. Pin count and function are as follows: Pin 1 = Gate (G), Pin 2 = Source (S), and Pin 3 = Drain (D).

  • Manufacturer

    The manufacturer of the SI2312BDS-T1-E3 is Vishay Siliconix. Vishay Siliconix is a semiconductor company that specializes in manufacturing and supplying power management devices, microcontrollers, discrete semiconductors, and passive electronic components.

  • Application Field

    The SI2312BDS-T1-E3 is a small signal N-channel MOSFET transistor. It is commonly used in applications such as power management, voltage regulation, and signal amplification in electronic devices such as mobile phones, laptops, and audio systems.

  • Package

    The SI2312BDS-T1-E3 chip has a SOT-23 package type, with three pins. Its dimensions are approximately 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

ADUM3201ARZ

ADS7809U

TL3315NF100Q

AON6426

TPS561201DDCT

INA826AIDR

VEML6040A3OG

LTC4364HDE-2#PBF

STM32F302CBT6

TOP210PN

OPA177GS

MMSZ5231BT1G

TNY256PN

TXB0102YZPR

BQ7693003DBTR

TOP257EN

VS-10MQ100NTRPBF

MSS1P3L-M3/89A

NH82801DB

MAX232ACSE

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