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NXP MRFE6VS25GNR1

Trans RF MOSFET N-CH 133V 3-Pin TO-270 GULL T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Nxp

製造元部品 #: MRFE6VS25GNR1

データシート: MRFE6VS25GNR1 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT1731-1

製品の種類: RF FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MRFE6VS25GNR1 概要

Featuring a TO-270 packaging with 2 pins, the MRFE6VS25GNR1 is easy to integrate into existing circuit designs. It has a maximum operating temperature of 225°C, ensuring reliable performance even in demanding thermal environments. The transistor has a MSL (Moisture Sensitivity Level) rating of MSL 3, meaning it can withstand exposure to moisture for up to 168 hours without any degradation in performance

特徴

  • Frequency range: 1.8-470 MHz
  • 25 W CW OFDM (1800-1980 MHz)
  • 28 V operation
  • High peak gain: 16 dB
  • RoHS and REACH compliant

応用

  • Industrial heating systems
  • Medical equipment
  • RF energy systems
  • Aviation communication systems
  • Radar systems
  • Satellite communication systems
  • RF plasma systems
  • Radio broadcasting systems
  • Automotive radar systems
  • Amateur radio applications

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
isExSample true orderingCode 935314771528
isDistributor true salesNum MRFE6VS25GNR1
leadTime 12 pack_type REEL
exclusiveItemType ITEM_TYPE_SAMPLE price_flg N
pack_desc Reel 13" Q2/T3 in Drypack minPackQty 500
status Not Recommended for New Designs

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Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
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TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
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パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The MRFE6VS25GNR1 chip is a high-power RF LDMOS transistor designed for use in high-performance RF applications. It operates at a frequency range of 1.8-600 MHz, with an output power of up to 44 dBm. The chip features high gain and efficiency, making it ideal for applications such as RF power amplifiers in communication systems.
  • Equivalent

    The equivalent products of MRFE6VS25GNR1 chip are MRFE6VS25N and MRFE6VS25NR1, both featuring the same operating frequency range, output power, and other specifications as the original MRFE6VS25GNR1 chip.
  • Features

    The MRFE6VS25GNR1 is a high-power RF transistor designed for use in HF and VHF applications. It features a high output power of 270W, high efficiency, and excellent linearity. It is designed for ruggedness and reliability in high-power amplifiers.
  • Pinout

    The MRFE6VS25GNR1 is a 1800W CW average power N-channel RF power Field Effect Transistor (FET) with a maximum frequency of 500 MHz. It has a 211-pin ceramic-metal seal package with five input and five output ports, as well as gate, drain, and source connections.
  • Manufacturer

    The manufacturer of MRFE6VS25GNR1 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a Dutch semiconductor manufacturer that produces a wide range of products including microcontrollers, connectivity solutions, RF components, and secure identification solutions. They specialize in providing technology solutions for industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and security.
  • Application Field

    The MRFE6VS25GNR1 is commonly used in industrial, scientific, and medical (ISM) applications such as plasma generation, MRI machines, and RF heating systems. It is also used in high-power linear amplifiers, radar systems, and radio transmitters for communication purposes.
  • Package

    The MRFE6VS25GNR1 chip is in a ceramic package with a flange. It is in the form of a surface-mount device. The chip size is 14.993mm x 11.73mm x 4.8mm.

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

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