注文金額が
$5000NXP SSP7N60B
600V, 7A N-Channel MOSFET in TO-220 Package
ブランド: Onsemi
製造元部品 #: SSP7N60B
データシート: SSP7N60B Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: TO-220-3
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
SSP7N60B 概要
SSP7N60B is a power MOSFET transistor made by Fairchild Semiconductor. It has a voltage rating of 600V and a continuous drain current of 7A. The transistor is housed in a TO-220 package, allowing for easy mounting and installation. The SSP7N60B is designed for high-speed switching applications, making it suitable for use in power supplies, motor control circuits, and lighting systems. It has low on-resistance and high switching speed, which helps minimize power losses and improve efficiency in various applications. This MOSFET features a gate charge of 16nC and a total gate charge of 20nC. It has a threshold voltage of 2.5V and a maximum drain-source voltage of 600V. The SSP7N60B also has a low input capacitance, which helps reduce switching losses and improve overall performance.
特徴
- High voltage capability
- Low spread of dynamic parameters
- High ruggedness
- Fast switching
- Easy to adjust
- Low feedback capacitance
- Low input capacitance
- Enhanced body diode co-pack
- Low internal strays inductance and resistance
応用
- Industrial equipment
- Switching power supplies
- Motor control
- Lighting
- Audio amplifier output stages
- UPS (Uninterruptible Power Supply) systems
- Welding equipment
- Ballast circuits
- Automotive applications
- Power factor correction circuits
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
Package / Case | TO-220-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Id - Continuous Drain Current | 7 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 1.2 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 30 V, + 30 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 147 W |
Channel Mode | Enhancement | Brand | onsemi / Fairchild |
Configuration | Single | Fall Time | 85 ns |
Forward Transconductance - Min | 8.2 S | Height | 16.3 mm |
Length | 10.67 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 80 ns | Factory Pack Quantity | 50 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 125 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 30 ns | Width | 4.7 mm |
Unit Weight | 0.068784 oz |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 | |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 | |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 | |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. | |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
同等部品
のために SSP7N60B コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:
部品番号
ブランド
パッケージ
説明
部品番号 : IRF3710
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : IRF3205
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : FQP7N60C
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : STP7NK60ZFP
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : STP7NK60Z
ブランド :
パッケージ :
説明 :
パーツポイント
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The SSP7N60B is a power MOSFET chip that is designed to handle high voltage and high current applications. It offers low on-resistance and high switching speed, making it suitable for various power electronics applications, such as motor control, power supplies, and inverters. This chip is part of the SSP7N60B series, which is known for its robust performance and reliability.
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Equivalent
Some equivalent products of the SSP7N60B chip include the UTC7N60B, IRF9Z34N, IRF7Z34N, STB7N60B, STP7N60BFD, STP7N60BF, AOD7N60, AOD7N60S, K30N60H, and K7N60H. -
Features
SSP7N60B is a power MOSFET transistor that has a drain current rating of 7A, a breakdown voltage of 600V, and a low on-resistance. It is designed for switching applications and offers high efficiency and reliability. The device also features a fast switching speed, low gate charge, and low internal capacitance, making it suitable for various power supply and industrial applications. -
Pinout
The SSP7N60B is a MOSFET transistor with a pin count of 3. It consists of a drain pin, a source pin, and a gate pin. The drain pin is used for the output of the transistor, the source pin is used for the input and output, and the gate pin is responsible for controlling the switching operation of the transistor. -
Manufacturer
The SSP7N60B is manufactured by Infineon Technologies AG. It is a multinational semiconductor and system solutions company. -
Application Field
The SSP7N60B is a power MOSFET transistor that can be used in various applications such as power supplies, motor control, and automotive systems. It is suitable for switching high current loads and offers efficient performance with low ON-resistance and fast switching speed. -
Package
The SSP7N60B chip is available in a TO-220AB package type, with a common form and size used for many power semiconductor devices. The dimensions of a TO-220AB package typically measure approximately 10.16 mm × 15.24 mm × 3.56 mm (0.4 in × 0.6 in × 0.14 in).
データシート PDF
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