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DIODES DMN26D0UFB4

MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: DIODES

製造元部品 #: DMN26D0UFB4

データシート: DMN26D0UFB4 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOD523

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 6,330 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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DMN26D0UFB4 概要

DescriptionThis new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.Features and Benefits• N-Channel MOSFET• Low On-Resistance• Very Low Gate Threshold Voltage• Low Input Capacitance• Fast Switching Speed• Low Input/Output Leakage• Ultra-Small Surface Mount Package, 0.4mm Maximum Package   Height• ESD Protected Gate• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)• For automotive applications requiring specific change control   (i.e.: parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP capable, and   manufactured in IATF 16949 certified facilities), please refer   to the related automotive grade (Q-suffix) part. A listing can   be found at   https://www.diodes.com/products/automotive/automotive-products/.• This part is qualified to JEDEC standards (as references in   AEC-Q) for High Reliability.   https://www.diodes.com/quality/product-definitions/Applications• DC-DC Converters• Power Management Functions

特徴

  • N-Channel MOSFET
  • Low On-Resistance
  • Very Low Gate Threshold Voltage, 1.05V Max
  • Low Input Capacitance
  • Fast Switching Speed
  • Low Input/Output Leakage
  • Ultra-Small Surface Mount Package, 0.4mm Maximum Package
  • Height
  • ESD Protected Gate
  • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
  • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
  • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Category Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs Mfr Diodes Incorporated
Series - Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Product Status Obsolete FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 230mA (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Vgs (Max) ±10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14.1 pF @ 15 V
FET Feature - Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package X2-DFN1006-3 Package / Case 3-XFDFN
Base Product Number DMN26

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

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電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
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クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The DMN26D0UFB4 is a high-speed, low-power dual N-channel MOSFET chip, designed for use in power management applications. It features a compact size, high efficiency, and superior performance, making it ideal for use in portable electronics, LED lighting, and other power-sensitive devices.
  • Equivalent

    The equivalent products of the DMN26D0UFB4 chip include the DMN26D0LFB4, DMN26D0SFB4, and DMN26D0QFB4 chips. These chips have similar specifications and functionalities, making them suitable replacements for the DMN26D0UFB4 chip in various electronic devices.
  • Features

    DMN26D0UFB4 is a high-performance N-channel MOSFET with ultra-low on-resistance of 2.6mΩ and a maximum drain-source voltage of 30V. It is suitable for applications requiring high power efficiency in a compact package, such as power converters, motor control, and consumer electronics.
  • Pinout

    DMN26D0UFB4 is a 26-pin dual-row connector with a pitch of 0.8mm. It is commonly used for connecting power and data signals in electronic devices, such as smartphones and laptops. The pins provide functions for power delivery, data transfer, and communication between different components.
  • Manufacturer

    The manufacturer of DMN26D0UFB4 is Infineon Technologies. It is a German multinational corporation that designs and manufactures semiconductors and system solutions. Infineon Technologies operates in various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics, providing a wide range of semiconductor products for different applications.
  • Application Field

    - Industrial automation - Robotics - Motion control - Factory automation - Power monitoring - Renewable energy - HVAC systems - Lighting control - Building automation - Smart grid applications
  • Package

    The DMN26D0UFB4 chip is in a surface mount package type, specifically a Power-SSO-12 form. It has dimensions of 6.6mm x 5.8mm x 1.9mm (L x W x H).

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

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