注文金額が
$5000DIODES DMN26D0UFB4
MOSFET
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
ブランド: DIODES
製造元部品 #: DMN26D0UFB4
データシート: DMN26D0UFB4 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOD523
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
DMN26D0UFB4 概要
DescriptionThis new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.Features and Benefits• N-Channel MOSFET• Low On-Resistance• Very Low Gate Threshold Voltage• Low Input Capacitance• Fast Switching Speed• Low Input/Output Leakage• Ultra-Small Surface Mount Package, 0.4mm Maximum Package Height• ESD Protected Gate• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)• For automotive applications requiring specific change control (i.e.: parts qualified to AEC-Q100/101/200, PPAP capable, and manufactured in IATF 16949 certified facilities), please refer to the related automotive grade (Q-suffix) part. A listing can be found at https://www.diodes.com/products/automotive/automotive-products/.• This part is qualified to JEDEC standards (as references in AEC-Q) for High Reliability. https://www.diodes.com/quality/product-definitions/Applications• DC-DC Converters• Power Management Functions
特徴
- N-Channel MOSFET
- Low On-Resistance
- Very Low Gate Threshold Voltage, 1.05V Max
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Low Input/Output Leakage
- Ultra-Small Surface Mount Package, 0.4mm Maximum Package
- Height
- ESD Protected Gate
- Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
- Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs | Mfr | Diodes Incorporated |
Series | - | Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 230mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 100mA, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±10V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14.1 pF @ 15 V |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 350mW (Ta) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
Supplier Device Package | X2-DFN1006-3 | Package / Case | 3-XFDFN |
Base Product Number | DMN26 |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
---|---|---|---|
![]() |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
---|---|---|
![]() |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
![]() |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
![]() |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
![]() |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
![]() |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
-
ステップ1 :製品
-
ステップ2 :真空包装
-
ステップ3 :静電気防止袋
-
ステップ4 :個包装
-
ステップ5 :梱包箱
-
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
-
The DMN26D0UFB4 is a high-speed, low-power dual N-channel MOSFET chip, designed for use in power management applications. It features a compact size, high efficiency, and superior performance, making it ideal for use in portable electronics, LED lighting, and other power-sensitive devices.
-
Equivalent
The equivalent products of the DMN26D0UFB4 chip include the DMN26D0LFB4, DMN26D0SFB4, and DMN26D0QFB4 chips. These chips have similar specifications and functionalities, making them suitable replacements for the DMN26D0UFB4 chip in various electronic devices. -
Features
DMN26D0UFB4 is a high-performance N-channel MOSFET with ultra-low on-resistance of 2.6mΩ and a maximum drain-source voltage of 30V. It is suitable for applications requiring high power efficiency in a compact package, such as power converters, motor control, and consumer electronics. -
Pinout
DMN26D0UFB4 is a 26-pin dual-row connector with a pitch of 0.8mm. It is commonly used for connecting power and data signals in electronic devices, such as smartphones and laptops. The pins provide functions for power delivery, data transfer, and communication between different components. -
Manufacturer
The manufacturer of DMN26D0UFB4 is Infineon Technologies. It is a German multinational corporation that designs and manufactures semiconductors and system solutions. Infineon Technologies operates in various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics, providing a wide range of semiconductor products for different applications. -
Application Field
- Industrial automation - Robotics - Motion control - Factory automation - Power monitoring - Renewable energy - HVAC systems - Lighting control - Building automation - Smart grid applications -
Package
The DMN26D0UFB4 chip is in a surface mount package type, specifically a Power-SSO-12 form. It has dimensions of 6.6mm x 5.8mm x 1.9mm (L x W x H).
私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します
-
豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。
-
最小注文数量は1個からとなります。
-
最低国際配送料は0.00ドルから
-
全商品365日品質保証