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H5TQ4G83MFR-H9C

Name: H5TQ4G83MFR-H9C
Rating: 4.5 (10 reviews)

Speedy LPDDRchip for efficient mobile computin

ブランド: SKHYNIX

製造元部品 #: H5TQ4G83MFR-H9C

データシート: H5TQ4G83MFR-H9C データシート (PDF)

パッケージ/ケース: FBGA78

製品の種類: メモリ

RoHS ステータス:

在庫状況: 7,478 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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H5TQ4G83MFR-H9C 概要

DescriptionThe H5TQ2G43CFR-xxC, H5TQ2G83CFR-xxC are a 2,147,483,648-bit CMOS Double Data Rate III (DDR3) Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which requires large memory density and high bandwidth. SK hynix 2Gb DDR3 SDRAMs offer fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the clock. While all addresses and control inputs are latched on the rising edges of the CK (falling edges of the CK), Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both rising and falling edges of it. The data paths are internally pipelined and 8-bit prefetched to achieve very high bandwidth.FEATURES• VDD=VDDQ=1.5V +/- 0.075V• Fully differential clock inputs (CK, CK) operation• Differential Data Strobe (DQS, DQS)• On chip DLL align DQ, DQS and DQS transition with CK  transition• DM masks write data-in at the both rising and falling  edges of the data strobe• All addresses and control inputs except data,  data strobes and data masks latched on the  rising edges of the clock• Programmable CAS latency 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13 and 14 supported• Programmable additive latency 0, CL-1, and CL-2  supported• Programmable CAS Write latency (CWL) = 5, 6, 7, 8, 9, 10• Programmable burst length 4/8 with both nibble  sequential and interleave mode• BL switch on the fly• 8banks• Average Refresh Cycle (Tcase of0 oC~ 95oC) - 7.8 µs at 0oC ~ 85 oC - 3.9 µs at 85oC ~ 95 oC• JEDEC standard 78ball FBGA(x4/x8)• Driver strength selected by EMRS• Dynamic On Die Termination supported• Asynchronous RESET pin supported• ZQ calibration supported• TDQS (Termination Data Strobe) supported (x8 only)• Write Levelization supported• 8 bit pre-fetch• This product in compliance with the RoHS directive.

特徴

1. Capacity: 4 gigabits (512 megabytes)
2. Organization: 8 banks × 16,777,216 words × 8 bits
3. Voltage: 1.7V to 1.95V for DDR3L, 1.8V to 2.3V for DDR4
4. Interface: LVDDR3/LPDDR4/DDR4 SDRAM
5. Frequency: Up to 1600 MHz

応用

This memory chip is commonly used in various electronic devices such as smartphones, tablets, laptops, graphics cards, and networking equipment for data storage and memory purposes.

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer	HYNIX

配送

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DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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