Infineon BSC021N08NS5
MOSFET TRENCH 40<-<100V
ブランド: Infineon Technologies Corporation
製造元部品 #: BSC021N08NS5
データシート: BSC021N08NS5 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SuperSO8 5x6
RoHS ステータス:
在庫状況: 3789 個、新しいオリジナル
製品の種類: Power Field-Effect Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
数量 | 単価 | 外部価格 |
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1 | $4.452 | $4.452 |
10 | $3.909 | $39.090 |
30 | $3.586 | $107.580 |
100 | $3.260 | $326.000 |
500 | $3.108 | $1554.000 |
1000 | $3.041 | $3041.000 |
In Stock:3789 PCS
BSC021N08NS5 概要
Infineon's OptiMOS™ MOSFETs in SuperSO8 package extend OptiMOS™ 3 and 5 product portfolio and enable higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance.Low reverse recovery charge (Qrr) improves the system reliability by providing a significant reduction of voltage overshoot, which minimizes the need for snubber circuits, resulting in less engineering cost and effort.
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
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Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | , |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Samacsys Manufacturer | Infineon | Avalanche Energy Rating (Eas) | 679 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 80 V | Drain Current-Max (ID) | 226 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0021 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 82 pF | JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 8 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 214 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 904 A | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | NO LEAD |
Terminal Position | DUAL | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 | |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 | |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 | |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. | |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The BSC021N08NS5 is a power MOSFET that is commonly used in various electronic devices to regulate power distribution. It offers low on-resistance and high current carrying capability, making it ideal for applications requiring efficient power management. Its compact size and high-performance characteristics make it a popular choice among designers for a wide range of products.
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Equivalent
The equivalent products of BSC021N08NS5 chip are Infineon IPP021N08N5 G MOSFET, ON Semiconductor FDP021N08B N-Channel MOSFET, and Fairchild FDP021N08N3 N-Channel PowerTrench MOSFET. These MOSFETs have similar specifications and can be used as alternatives to the BSC021N08NS5 chip. -
Features
BSC021N08NS5 is a N-channel, 80V, 21A MOSFET with low Rds(on) of 8mΩ. It is suitable for high power applications with high efficiency and fast switching performance. This MOSFET also offers low gate charge and avalanche ruggedness for reliable operation in demanding environments. -
Pinout
The BSC021N08NS5 is a 8-pin dual N-channel power MOSFET with high current capability and low Rds(on). It is commonly used in power management applications such as battery charging, motor control, and power supplies. The pin functions include gate (G), source (S1, S2), and drain (D1, D2) for each channel. -
Manufacturer
The BSC021N08NS5 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon is a global leader in the development and production of power semiconductors, sensors, and security solutions for a variety of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSC021N08NS5 is a power MOSFET suitable for various applications such as industrial power supplies, motor controls, and DC-DC converters. It can also be used in automotive systems, telecommunications equipment, and general purpose power switching applications where high efficiency and low power dissipation are required. -
Package
BSC021N08NS5 chip is packaged in a TO-263 form with a size of 10.3mm x 12mm.
私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します
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豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。
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最小注文数量は1個からとなります。
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