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vishay SI2318CDS-T1-GE3

SOT-23-3 Packaged N-Channel MOSFET with 40 Volts Drain-to-Source Voltage and 0.042 Ohms On-Resistance

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Vishay

製造元部品 #: SI2318CDS-T1-GE3

データシート: SI2318CDS-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI2318CDS-T1-GE3 概要

The SI2318CDS-T1-GE3 is a top-notch P-channel MOSFET transistor perfect for a wide range of applications. With a robust maximum drain-source voltage of -20V and a continuous drain current of -4.3A, this transistor is ideal for power management tasks requiring high-speed switching capabilities. Its ultra-low on-resistance of 53mΩ at a VGS of -4.5V significantly reduces power losses, enhancing overall efficiency in switching circuits. Moreover, the SI2318CDS-T1-GE3 boasts a minimal gate charge of 10nC, facilitating quick switching speeds for optimized performance

特徴

  • Durable construction
  • Low power consumption
  • Long lifespan reliability
  • Easy installation

応用

  • Power control applications
  • Voltage regulation circuit
  • Compact power management

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Product Category MOSFET RoHS Details
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3 Transistor Polarity N-Channel
Number of Channels 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 40 V
Id - Continuous Drain Current 5.6 A Rds On - Drain-Source Resistance 42 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2.5 V
Qg - Gate Charge 2.9 nC Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Pd - Power Dissipation 2.1 W
Channel Mode Enhancement Tradename TrenchFET
Series SI2 Brand Vishay Semiconductors
Configuration Single Fall Time 8 ns
Product Type MOSFET Rise Time 20 ns
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time 14 ns
Typical Turn-On Delay Time 7 ns Part # Aliases SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-GE3
Unit Weight 0.000282 oz

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
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パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • SI2318CDS-T1-GE3 is a power MOSFET chip manufactured by Vishay. It is designed for use in low voltage applications, with a breakdown voltage of 20V. This chip has a small package size, making it suitable for space-constrained designs. It offers low on-resistance and high thermal performance, enabling efficient power handling. Overall, SI2318CDS-T1-GE3 is a reliable and efficient option for various low voltage applications.

  • Equivalent

    Equivalent products to the SI2318CDS-T1-GE3 chip include SI2318CDS-T1-E3, SI2319CDS-T1-GE3, and SI2319CDS-T1-E3.

  • Features

    The features of SI2318CDS-T1-GE3 include a voltage rating of 20V, a continuous drain current of 2.1A, low on-resistance of 55mΩ, and a gate threshold voltage of 1V to 2.5V. It also has a compact SOT-23 package and is suitable for use in various applications such as load switching and power management.

  • Pinout

    The SI2318CDS-T1-GE3 is a 3-pin MOSFET transistor. It has a pin count of 3, with a gate, drain, and source pin. The function of this transistor is to control and amplify electrical signals within a circuit.

  • Manufacturer

    The manufacturer of the SI2318CDS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a semiconductor company that produces a wide range of power MOSFETs, diodes, and optoelectronic components for various industries, including automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial applications.

  • Application Field

    The SI2318CDS-T1-GE3 is a small signal MOSFET transistor that can be used in various applications such as low voltage switching, audio amplification, and power management circuits.

  • Package

    The SI2318CDS-T1-GE3 chip from Vishay Siliconix has a package type of SOT-23, a form of Surface Mount, and has a size of 2.9mm x 1.3mm.

BS250KL-TR1-E3

2N7002E

SIHG20N50C-E3

IRLR110PBF

IRFS9N60APBF

IRFU120

IRFPS37N50A

IRFP9240PBF

OPA111AM

S4B-XH-A(LF)(SN)

STM32F746BGT6

2SCR523UBTL

W25R256JVEIQ

L7908CV

IRS2106

24LC512-I/SN

STM32L151C8T6

NL17SZ125DFT2G

ML51PC0AE

DRV8825PWPR

EAST1616RGBB4

SFH620A-3

BFR31

BQ7695202PFBR

MC78L05ACHT1G

BAV70LT1G

ADUM1201CRZ

STTH108A

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