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Infineon BSM100GD120DN2 48HRS

Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-39

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Infineon

製造元部品 #: BSM100GD120DN2

データシート: BSM100GD120DN2 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: EconoPACK 3A

RoHS ステータス:

在庫状況: 9458 個、新しいオリジナル

製品の種類: IGBT Modules

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量 単価 外部価格
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BSM100GD120DN2 概要

IGBT MODULE, 1200V, ECONOPACK3; Module Configuration:Six; DC Collector Current:150A; Collector Emitter Voltage Vces:3V; Power Dissipation Pd:680W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; Transistor Case Style:Econopack 3; No. of Pins:39; Current Ic Continuous a Max:100A; Current Temperature:80°C; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:6; Package / Case:Econopack 3; Power Dissipation Max:680W; Power Dissipation Pd:680W; Pulsed Current Icm:200A; Termination Type:Solder; Voltage Vce Sat Typ:2.5V; Voltage Vces:1.2kV

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Product Category IGBT Modules RoHS Details
Product IGBT Silicon Modules Configuration Hex
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C 150 A Gate-Emitter Leakage Current 400 nA
Pd - Power Dissipation 680 W Package / Case EconoPACK 3A
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Infineon Technologies Height 17 mm
Length 122 mm Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount Product Type IGBT Modules
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Technology Si Width 62 mm
Part # Aliases SP000100365 BSM100GD120DN2BOSA1

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

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ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

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1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The BSM100GD120DN2 is a power semiconductor module designed for industrial applications. It combines IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) technology with a diode for efficient power conversion. With a voltage rating of 1200V and a current rating of 100A, it offers high reliability and performance in various power electronic systems such as motor drives and inverters.
  • Equivalent

    Equivalent products to the BSM100GD120DN2 chip include Infineon's FF100R12KT4 and FF150R12KT4 modules, as well as Semikron's SKM100GB128D module. These are all insulated-gate bipolar transistors (IGBT) designed for high-power applications, offering similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    The BSM100GD120DN2 is an IGBT power module with a voltage rating of 1200V and a current rating of 100A. It features low switching losses, high efficiency, and a compact design suitable for various industrial applications, particularly in motor drives and renewable energy systems.
  • Pinout

    The BSM100GD120DN2 is a dual IGBT module with a pin count of 14. Its functions include high power switching and motor control in industrial applications.
  • Manufacturer

    The BSM100GD120DN2 is manufactured by Infineon Technologies AG. Infineon is a multinational semiconductor manufacturer specializing in power semiconductors, microcontrollers, and sensors. They cater to various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The BSM100GD120DN2 is typically used in industrial applications such as motor drives, renewable energy systems, and power supplies. It's particularly suitable for high-power applications due to its high voltage and current ratings, making it ideal for efficient energy conversion and motor control.
  • Package

    The BSM100GD120DN2 is a power module with a dual IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip. It is packaged in a module form and typically comes in a size of 100 x 140 x 30 mm.

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

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