このウェブサイトは Cookie を使用しています。このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。詳細については、こちらをご覧くださいプライバシーポリシー.

画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

Infineon BSM150GB120DN2

Name: BSM150GB120DN2
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans IGBT Module N-CH 1200V 210A 1250W 7-Pin 62MM-1

ブランド: Infineon

製造元部品 #: BSM150GB120DN2

データシート: BSM150GB120DN2 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: Half Bridge2

RoHS ステータス:

在庫状況: 2336 個、新しいオリジナル

製品の種類: トランジスタ

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$415.405	$415.405
200	$160.757	$32151.400
500	$155.107	$77553.500
1000	$152.315	$152315.000

In Stock:2336 PCS

- +

簡単な見積もり

RFQを提出してください BSM150GB120DN2 またはメールでご連絡ください: Eメール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

量^*

Eメール^*

連絡先^*

会社

述べる

BSM150GB120DN2 概要

IGBT Module Half Bridge 1200 V 210 A 1250 W Chassis Mount Module

特徴

It is a 1200V IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module with a maximum current rating of 150A.
It has a low on-state voltage drop, which helps to reduce power losses.
The module has a built-in temperature monitoring system that protects against overheating.
It is designed to be rugged and reliable, with a high level of resistance to thermal and electrical stress.
The module is equipped with fast-switching IGBTs, which makes it suitable for high-frequency applications.

応用

Industrial motor drives
Solar inverters
Uninterruptible power supplies (UPS)
Welding equipment
Switched-mode power supplies (SMPS)

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	IGBT Modules	RoHS	Details
Product	IGBT Silicon Modules	Configuration	Half Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C	210 A	Gate-Emitter Leakage Current	320 nA
Pd - Power Dissipation	1.25 kW	Package / Case	Half Bridge2
Minimum Operating Temperature	- 40 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Brand	Infineon Technologies	Height	30 mm
Length	106.4 mm	Maximum Gate Emitter Voltage	20 V
Mounting Style	Chassis Mount	Product Type	IGBT Modules
Factory Pack Quantity	10	Subcategory	IGBTs
Technology	Si	Width	61.4 mm
Part # Aliases	SP000095942 BSM150GB120DN2HOSA1

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

同等部品

のために BSM150GB120DN2 コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:

部品番号

ブランド

パッケージ

説明

部品番号 : IXYS

ブランド :

パッケージ :

説明 : MCC312-16IO1

部品番号 : Fuji

ブランド :

パッケージ :

説明 : Electric 6MBI150UB-120

部品番号 : Powerex

ブランド :

パッケージ :

説明 : CM150DY-12H

パーツポイント

The BSM150GB120DN2 is a high power IGBT module designed for use in industrial applications such as motor drives and renewable energy systems. It features a current rating of 150A and a voltage rating of 1200V, making it suitable for high-power applications. The module is highly reliable and efficient, making it a popular choice for demanding applications.
Equivalent

The equivalent products of BSM150GB120DN2 chip are Infineon IGBT module FF150R12KE3, Eupec IGBT module FP15R12W3T4, and IXYS IGBT module F10C20C. These products are similar in specifications and can be used interchangeably with the BSM150GB120DN2 chip.
Features

BSM150GB120DN2 is an IGBT module with a rated current of 150 A and a maximum voltage of 1200 V. It features low power loss and low operational temperature rise. It has an integrated gate resistor for easier drive circuit design and improved system reliability.
Pinout

The BSM150GB120DN2 is a dual IGBT module with a pin count of 7. The functions of the pins are as follows: Pin 1 is Gate 1, Pin 2 is Emitter 1, Pin 3 is Collector 1, Pin 4 is Common emitter, Pins 5 and 6 are Collector 2 and Emitter 2 respectively, and Pin 7 is Gate 2.
Manufacturer

Infineon Technologies is the manufacturer of the BSM150GB120DN2. It is a German multinational corporation that specializes in semiconductor solutions for automotive, industrial, and digital security applications. Infineon Technologies is a leading provider of power semiconductors, microcontrollers, and sensors for a variety of industries worldwide.
Application Field

The BSM150GB120DN2 is typically used in high power inverter applications, such as industrial drives, wind turbines, and solar inverters. It is designed for high switching frequencies and has low power loss characteristics, making it ideal for demanding applications that require high efficiency and reliability.
Package

The BSM150GB120DN2 chip is a module with a Half-bridge IGBT All-Si Module type package. It is in a Single Phase form and has a size of 150mm x 62mm x 30mm.