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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

Infineon BSC047N08NS3G

Name: BSC047N08NS3G
Rating: 4.5 (10 reviews)

8A current capacity

ブランド: Infineon

製造元部品 #: BSC047N08NS3G

データシート: BSC047N08NS3G Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: SuperSO8 5x6

RoHS ステータス:

在庫状況: 3195 個、新しいオリジナル

製品の種類: トランジスタ

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$1.854	$1.854
10	$1.610	$16.100
30	$1.458	$43.740
100	$1.206	$120.600
500	$1.135	$567.500
1000	$1.105	$1105.000

In Stock:3195 PCS

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BSC047N08NS3G 概要

The BSC047N08NS3 G is a N-channel power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. It is designed for use in a wide range of applications, including DC-DC converters, motor control, and power supplies. This MOSFET features a maximum continuous drain current of 47A and a maximum drain-source voltage of 80V. It has a low on-state resistance of 8mΩ, which helps to reduce power losses and improve efficiency in high-current applications. The BSC047N08NS3 G also has a gate threshold voltage of 2.5V and a gate charge of 58nC, making it easy to drive with standard digital logic circuits. It has a low input capacitance of 2850pF and a fast switching speed, which allows for efficient operation at high frequencies.This MOSFET is housed in a TO-263 package, which provides excellent thermal performance and reliable operation in demanding environments. It is also RoHS compliant, making it suitable for use in environmentally sensitive applications.

特徴

The BSC047N08NS3 G is a MOSFET transistor designed for high efficiency power switching applications

It features a low on-resistance of 4

7 mΩ, a gate charge of 57 nC, and a maximum drain-source voltage of 80V

The device also has a rugged Silicon Carbide (SiC) structure, allowing for reliable performance in harsh environments

応用

The BSC047N08NS3 G is a power MOSFET transistor commonly used in applications such as automotive powertrain, power supply systems, motor control, and industrial automation

It is ideal for high current switching applications due to its low on-resistance and high efficiency

It is also suitable for use in battery management systems and renewable energy systems

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
IDpuls max	400.0 A	Ptot max	125.0 W
VDS max	80.0 V	Polarity	N
RDS (on) max	4.7 mΩ	Package	SuperSO8 5x6
ID max	100.0 A	VGS(th) max	3.5 V
VGS(th) min	2.0 V	Operating Temperature max	150.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

同等部品

のために BSC047N08NS3G コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:

部品番号

ブランド

パッケージ

説明

部品番号 : IRFP4768PBF

ブランド :

パッケージ : TO-247AC

説明 : 250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package

部品番号 : STP110N8F7

ブランド :

パッケージ : TO-220

説明 :

部品番号 : FDB047N08

ブランド :

パッケージ :

説明 : by Fairchild Semiconductor

部品番号 : SIHG47N60E-E3

ブランド : Vishay

パッケージ :

説明 :

部品番号 : IPP047N08N3

ブランド :

パッケージ :

説明 : G by Infineon Technologies

パーツポイント

The BSC047N08NS3G is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for use in high-power applications. It features low ON-resistance, high current rating, and fast switching speeds, making it ideal for power management in industrial, automotive, and consumer electronics.
Equivalent

Some equivalent products of BSC047N08NS3G chip are Infineon IPP047N08N5, Vishay SIHP47N08E-GE3, and Fairchild FCP47N08. These chips are all similar in specifications and can be used as alternatives in various applications.
Features

1. N-channel 80V power MOSFET 2. Low on-resistance (4.7mΩ) 3. High current handling capability (90A) 4. Excellent thermal performance 5. Low gate charge for fast switching 6. Avalanche energy rated 7. Suitable for high power applications in automotive, industrial, and consumer electronics.
Pinout

The BSC047N08NS3G is a 80V, 47A N-channel Power MOSFET with a D2PAK package. It has a pin count of 3 with the following functions: Pin 1 (Gate), Pin 2 (Source), and Pin 3 (Drain).
Manufacturer

The BSC047N08NS3G is manufactured by Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturing company that specializes in power electronics, security solutions, and digital security technology. They provide semiconductor solutions for a variety of industries including automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The BSC047N08NS3G is a power MOSFET transistor used in various applications such as motor control, power supplies, and automotive systems. It is commonly found in electric vehicles, industrial machinery, and other high-power electronic devices that require efficient and reliable switching capabilities.
Package

The BSC047N08NS3G chip comes in a TO-252 package type with a surface-mount form. Its size measures 6.65mm x 6.15mm x 1.55mm.