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Infineon BSM75GD120DN2

IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 103 A 520 W Chassis Mount Module

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Infineon

製造元部品 #: BSM75GD120DN2

データシート: BSM75GD120DN2 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: EconoPACK 3A

製品の種類: トランジスタ

RoHS ステータス:

在庫状況: 2827 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSM75GD120DN2 概要

IGBT Module Three Phase Inverter 1200 V 103 A 520 W Chassis Mount Module

bsm75gd120dn2

特徴

  • IXYS IXGH75N120B3H1
  • Fuji 2MBI75N-120
  • Semikron SKM75GB120DN
  • Toshiba MG75Q2YS40
bsm75gd120dn2
bsm75gd120dn2

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Product Category IGBT Modules RoHS Details
Product IGBT Silicon Modules Configuration Full Bridge
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 1.2 kV Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Continuous Collector Current at 25 C 103 A Gate-Emitter Leakage Current 320 nA
Pd - Power Dissipation 520 W Package / Case EconoPACK 3A
Minimum Operating Temperature - 40 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Brand Infineon Technologies Height 17 mm
Length 122 mm Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style Chassis Mount Product Type IGBT Modules
Factory Pack Quantity 10 Subcategory IGBTs
Technology Si Width 62 mm
Part # Aliases SP000100364 BSM75GD120DN2BOSA1

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

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支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The BSM75GD120DN2 is a high power N-channel IGBT designed for use in high voltage applications. It features a blocking voltage of 1200V, a continuous collector current of 75A, and a low on-state voltage drop. This chip is commonly used in industrial motor drives, renewable energy systems, and power supplies.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the BSM75GD120DN2 chip include the SKM75GB128DM, FF75R12RT4, and GT75QR21. These chips are all high-power IGBT modules designed for use in various power electronic applications, such as energy conversion, motor drives, and industrial automation.
  • Features

    Some features of the BSM75GD120DN2 include a high current rating of 75A, a voltage rating of 1200V, high switching frequency capability, low on-state voltage drop, and a compact and efficient design suitable for various industrial applications.
  • Pinout

    The BSM75GD120DN2 is a dual, 75A, 1200V IGBT module with a pin count of 7. The functions of the pins are: Pin 1: Collector 1 Pin 2: Emitter 1 Pin 3: Gate 1 Pin 4: Gate 2 Pin 5: Emitter 2 Pin 6: Collector 2 Pin 7: Baseplate
  • Manufacturer

    Infineon Technologies AG is the manufacturer of the BSM75GD120DN2. They are a German semiconductor manufacturing company that produces a wide range of products including power semiconductors, microcontrollers, and sensors. Infineon serves industries such as automotive, industrial, and consumer electronics with innovative and reliable semiconductor solutions.
  • Application Field

    The BSM75GD120DN2 is commonly used in industrial applications such as power converters, motor drives, and renewable energy systems. Its high power density and efficiency make it suitable for high-performance and demanding environments where reliability and robustness are essential.
  • Package

    The BSM75GD120DN2 chip is in a module package type with a form of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module and a size of 75A and 1200V.

データシート PDF

暫定仕様書 BSM75GD120DN2 PDF ダウンロード

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