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vishay 2N7002E-T1-GE3

Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Vishay

製造元部品 #: 2N7002E-T1-GE3

データシート: 2N7002E-T1-GE3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-23-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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2N7002E-T1-GE3 概要

N-Channel 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236

特徴

  • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
  • Low On-Resistance: 3 
  • Low Threshold: 2 V (typ.)
  • Low Input Capacitance: 25 pF
  • Fast Switching Speed: 7.5 ns
  • Low Input and Output Leakage
  • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

応用

  • Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
  • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories, Transistors, etc.
  • Battery Operated Systems
  • Solid-State Relays

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Manufacturer: Vishay Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: SOT-23-3
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V Id - Continuous Drain Current: 240 mA
Rds On - Drain-Source Resistance: 3 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1 V Qg - Gate Charge: 600 pC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 350 mW Channel Mode: Enhancement
Series: 2N7002E Packaging: MouseReel
Brand: Vishay Semiconductors Configuration: Single
Forward Transconductance - Min: 600 mS Product Type: MOSFET
Factory Pack Quantity: 3000 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel Typical Turn-Off Delay Time: 18 ns
Typical Turn-On Delay Time: 13 ns Part # Aliases: 2N7002E-GE3
Unit Weight: 0.000282 oz

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The 2N7002E-T1-GE3 is a small signal MOSFET transistor chip widely used in low voltage applications. It has a maximum continuous drain current of 115mA and a low threshold voltage of 1.3V. This chip offers high performance and reliability in a compact package, making it ideal for use in various electronic circuits.
  • Equivalent

    The equivalent products of 2N7002E-T1-GE3 chip are DMN2004LSD-13, FDC6327L, BSS84, 2N7002-TP, and ZXMN2A01FTA. These are all N-channel enhancement-mode MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
  • Features

    The 2N7002E-T1-GE3 is a small-signal N-channel MOSFET transistor. It features a low threshold voltage, typically around 0.8V, making it suitable for low-voltage applications. With a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 300mA, it's commonly used in switching and amplification circuits in various electronic devices.
  • Pinout

    The 2N7002E-T1-GE3 is a Single N-Channel MOSFET with a SOT-23 package. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin controls the current flow between the Drain and Source pins. It is commonly used for switching and amplifying signals in low power applications.
  • Manufacturer

    The 2N7002E-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is a global manufacturer of electronic components and related products. They specialize in producing a wide range of components including discrete semiconductors, diodes, capacitors, resistors, and sensors for various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications.
  • Application Field

    The 2N7002E-T1-GE3 is commonly used in low voltage and low current applications such as switch and general purpose amplification in consumer electronics, automotive systems, industrial control, and communication devices. It is ideal for level shifting, load switching, and signal amplification due to its small size and low power consumption.
  • Package

    The 2N7002E-T1-GE3 chip is in a surface mount SOT-23 package with a N-channel MOSFET transistor, size of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

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