注文金額が
$5000vishay 2N7002E-T1-GE3
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 3-Pin SOT-23 T/R
ブランド: Vishay
製造元部品 #: 2N7002E-T1-GE3
データシート: 2N7002E-T1-GE3 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: SOT-23-3
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
2N7002E-T1-GE3 概要
N-Channel 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount TO-236
特徴
- Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition
- Low On-Resistance: 3
- Low Threshold: 2 V (typ.)
- Low Input Capacitance: 25 pF
- Fast Switching Speed: 7.5 ns
- Low Input and Output Leakage
- Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
応用
- Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
- Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories, Transistors, etc.
- Battery Operated Systems
- Solid-State Relays
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Vishay | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-23-3 |
Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 240 mA |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V | Qg - Gate Charge: | 600 pC |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Pd - Power Dissipation: | 350 mW | Channel Mode: | Enhancement |
Series: | 2N7002E | Packaging: | MouseReel |
Brand: | Vishay Semiconductors | Configuration: | Single |
Forward Transconductance - Min: | 600 mS | Product Type: | MOSFET |
Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns | Part # Aliases: | 2N7002E-GE3 |
Unit Weight: | 0.000282 oz |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 | |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 | |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 | |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. | |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The 2N7002E-T1-GE3 is a small signal MOSFET transistor chip widely used in low voltage applications. It has a maximum continuous drain current of 115mA and a low threshold voltage of 1.3V. This chip offers high performance and reliability in a compact package, making it ideal for use in various electronic circuits.
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Equivalent
The equivalent products of 2N7002E-T1-GE3 chip are DMN2004LSD-13, FDC6327L, BSS84, 2N7002-TP, and ZXMN2A01FTA. These are all N-channel enhancement-mode MOSFETs with similar specifications and performance characteristics. -
Features
The 2N7002E-T1-GE3 is a small-signal N-channel MOSFET transistor. It features a low threshold voltage, typically around 0.8V, making it suitable for low-voltage applications. With a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 300mA, it's commonly used in switching and amplification circuits in various electronic devices. -
Pinout
The 2N7002E-T1-GE3 is a Single N-Channel MOSFET with a SOT-23 package. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin controls the current flow between the Drain and Source pins. It is commonly used for switching and amplifying signals in low power applications. -
Manufacturer
The 2N7002E-T1-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is a global manufacturer of electronic components and related products. They specialize in producing a wide range of components including discrete semiconductors, diodes, capacitors, resistors, and sensors for various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The 2N7002E-T1-GE3 is commonly used in low voltage and low current applications such as switch and general purpose amplification in consumer electronics, automotive systems, industrial control, and communication devices. It is ideal for level shifting, load switching, and signal amplification due to its small size and low power consumption. -
Package
The 2N7002E-T1-GE3 chip is in a surface mount SOT-23 package with a N-channel MOSFET transistor, size of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.
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