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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

NXP MRF6VP2600HR6

Name: MRF6VP2600HR6
Rating: 4.5 (10 reviews)

RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230

ブランド: NXP Semiconductor

製造元部品 #: MRF6VP2600HR6

データシート: MRF6VP2600HR6 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: NI-1230

製品の種類: トランジスタ

RoHS ステータス:

在庫状況: 3405 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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MRF6VP2600HR6 概要

RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230

特徴

High power output: Typically capable of delivering up to 600 Watts of peak output power.
High efficiency: Designed to operate with high efficiency, allowing for better power utilization in RF amplifier applications.
Broadband performance: Suitable for operation across a wide frequency range, typically covering frequencies from 700 MHz to 2700 MHz.
Rugged construction: Designed to withstand high operating voltages and currents, with built-in protection features to ensure reliable operation in demanding RF power amplifier applications.
Integrated ESD protection: Includes Electrostatic Discharge (ESD) protection features to safeguard against damage from static electricity.

応用

Wireless communication systems: Used in high-power RF amplifier stages of wireless communication systems, such as cellular base stations, repeaters, and wireless infrastructure equipment.
Broadcast systems: Used in RF amplifiers for broadcasting applications, such as FM and TV transmitters.
Industrial, scientific, and medical (ISM) applications: Used in RF amplifiers for ISM band applications, such as RF heating and plasma generation.

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Case/Package	SOT	Mount	Screw
Number of Pins	1230	Weight	13.155199 g
Current Rating	10 µA	Drain to Source Breakdown Voltage	110 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	110 V	Frequency	225 MHz
Gain	25 dB	Gate to Source Voltage (Vgs)	10 V
Max Frequency	500 MHz	Max Operating Temperature	225 °C
Max Output Power	125 W	Min Breakdown Voltage	110 V
Min Operating Temperature	-65 °C	Number of Elements	2
Output Power	125 W	Test Current	2.6 A
Test Voltage	50 V

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The MRF6VP2600HR6 is a high-power radio frequency (RF) transistor chip designed for applications in the 2.45 GHz industrial, scientific, and medical (ISM) band. It offers high linearity and efficiency, making it suitable for use in wireless communication systems, radar systems, and other RF power amplifiers. The chip is capable of delivering up to 2600 watts of power, making it ideal for high-power RF amplification needs.
Features

The MRF6VP2600HR6 is a high-power RF power field-effect transistor (FET) designed for broadband commercial and industrial applications. It features up to 600 Watts of output power, excellent gain, and efficiency. It operates within the frequency range of 136 to 941 MHz and is suitable for high-power transmitter applications.
Pinout

The MRF6VP2600HR6 is a RF power transistor with a pin count of 2. It is commonly used in high-power applications such as radio frequency amplifiers.
Manufacturer

The manufacturer of the MRF6VP2600HR6 is NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a global semiconductor company that designs and manufactures a wide range of products, including microcontrollers, processors, and integrated circuits.
Application Field

The MRF6VP2600HR6 is a High Ruggedness N-Channel RF Power MOSFET designed for various applications in the L-Band radar, avionics, industrial, and scientific markets where high power and high reliability are required.
Package

The MRF6VP2600HR6 chip has a package type of NI-1230-4. It is in a form factor of flanged ceramic package. The chip measures 39.62 mm x 39.62 mm x 11.68 mm in size.