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HGTG5N120BND

Name: HGTG5N120BND
Rating: 4.5 (10 reviews)

Three-pin (with three tabs) TO-247 tube containing a 1200V N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) chip rated for 21A current

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: HGTG5N120BND

データシート: HGTG5N120BND データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$2.818	$2.818
10	$2.466	$24.660
30	$2.022	$60.660
90	$1.810	$162.900
510	$1.712	$873.120
1200	$1.669	$2002.800

在庫あり: 9,458 PCS

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HGTG5N120BND 概要

The HGTG5N120BND product is a cutting-edge Non-Punch Through (NPT) IGBT design that caters to a variety of high voltage switching applications. With a focus on minimizing conduction losses, this IGBT is the perfect choice for devices such as UPS systems, solar inverters, motor controls, and power supplies. Its versatility makes it a valuable component in modern electronics where energy efficiency is key

特徴

High Surge Immunity
Wide Temperature Range
Low Dropout Voltage
Small Package Size

応用

Backup Power Source
Energy Storage Solution
Electrical Safety Equipment

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	IGBT Transistors	RoHS	Details
Technology	Si	Package / Case	TO-247-3
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	21 A
Pd - Power Dissipation	167 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	HGTG5N120BND
Brand	onsemi / Fairchild	Continuous Collector Current	21 A
Continuous Collector Current Ic Max	21 A	Gate-Emitter Leakage Current	+/- 250 nA
Height	20.82 mm	Length	15.87 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	450
Subcategory	IGBTs	Width	4.82 mm
Part # Aliases	HGTG5N120BND_NL

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The HGTG5N120BND is a high power, high voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip designed for use in various power electronic applications such as motor drives, power supplies, and inverters. It offers a low on-state voltage drop and high switching speed, making it suitable for high-performance and energy-efficient devices.
Equivalent

The equivalent products of HGTG5N120BND chip are Infineon's IGW50N65H5, STMicroelectronics STGWT40H65DF2, and Fairchild Semiconductor's FGW15N120HS. These chips are all high-power IGBTs with similar specifications and applications in power electronics.
Features

1. HGTG5N120BND is a 1200V, 45A IGBT power module. 2. It has a low top-side collector-emitter voltage of 2.2V. 3. Features industry-standard footprint and package design for easy integration. 4. Suitable for high-power applications such as motor control and power supplies.
Pinout

HGTG5N120BND is a 3-pin IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a pin count of 3. The functions of the pins are: Pin 1 (Emitter), Pin 2 (Gate), and Pin 3 (Collector). It is used for high power switching applications.
Manufacturer

HGTG5N120BND is manufactured by Fairchild Semiconductor, an American semiconductor company that specializes in power and signal path products. Fairchild Semiconductor was founded in 1957 and is headquartered in San Jose, California. They are known for their innovation in power management technologies for consumer, industrial, and automotive applications.
Application Field

HGTG5N120BND is a high voltage, fast switching IGBT designed for a wide range of applications including induction heating, welding, motor control, and power supplies. It is commonly used in inverters, converters, and other high power electronic systems that require efficient and reliable switching performance.
Package

The HGTG5N120BND chip is a IGBT transistor in TO-247 package type, with a form of Molded Plastic, and a size of 22.1mm x 5.2mm x 38.94mm.