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HGTG30N60A4D

Name: HGTG30N60A4D
Rating: 4.5 (10 reviews)

600V, SMPS IGBT

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: HGTG30N60A4D

データシート: HGTG30N60A4D データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$7.287	$7.287
10	$6.438	$64.380
30	$5.921	$177.630
90	$5.212	$469.080

在庫あり: 9,458 PCS

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HGTG30N60A4D 概要

The HGTG30N60A4D is a cutting-edge MOS gated high voltage switching device that represents the pinnacle of technological innovation in the field. By seamlessly blending the advantageous characteristics of MOSFETs and bipolar transistors, this device offers unparalleled performance and efficiency. With its high input impedance borrowed from MOSFETs and low on-state conduction loss reminiscent of bipolar transistors, the HGTG30N60A4D stands out as a game-changer in the realm of power electronics. Whether operating at 25°C or 150°C, this IGBT maintains a remarkably low on-state voltage drop, ensuring consistent performance across a wide range of temperatures

特徴

Silicon-Carbide Based
Low Loss Operation
Rapid Recovery Capability
Small Form Factor

応用

Ultra Thin Laptop Cases

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	IGBT Transistors	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Package / Case	TO-247-3	Mounting Style	Through Hole
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.8 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	70 A	Pd - Power Dissipation	463 W
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Series	HGTG30N60A4D	Brand	onsemi / Fairchild
Continuous Collector Current	75 A	Continuous Collector Current Ic Max	75 A
Gate-Emitter Leakage Current	+/- 250 nA	Height	20.82 mm
Length	15.87 mm	Product Type	IGBT Transistors
Factory Pack Quantity	450	Subcategory	IGBTs
Width	4.82 mm	Part # Aliases	HGTG30N60A4D_NL
Unit Weight	0.225401 oz

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

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	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

HGTG30N60A4D is a chip that belongs to the IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) family. It is specifically designed for high-voltage applications and offers low conduction and switching losses. HGTG30N60A4D chip enables efficient power conversion in various electronic devices, including inverters, motor drives, and power supplies. It provides reliable performance with excellent thermal characteristics, making it suitable for demanding applications.
Equivalent

Some equivalent products of the HGTG30N60A4D chip include the IRGPS60B120KDPbF, IGBT30N60A4H, and the HGTP30N60AFD. These chips provide similar functionality and can be used as substitutes for the HGTG30N60A4D in various applications.
Features

The HGTG30N60A4D is a high voltage IGBT designed for use in switching applications. It has a current rating of 30A, a voltage rating of 600V, and a low saturation voltage. It offers low on-state losses, fast switching speeds, and is suitable for high frequency operation. It also includes built-in thermal protection and is housed in a TO-247 package.
Pinout

The HGTG30N60A4D is a 30A IGBT power module. It has 7 pins with the following functions: 1. G: Gate control 2. G: Gate control 3. C: Collector of the IGBT 4. E: Emitter of the IGBT 5. F: Collector of the free-wheeling diode 6. F: Collector of the free-wheeling diode 7. E: Emitter of the free-wheeling diode
Manufacturer

The manufacturer of the HGTG30N60A4D is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that produces a wide range of products, including power semiconductors, microcontrollers, sensors, and automotive electronics.
Application Field

The HGTG30N60A4D is a high voltage transistor commonly used in various power applications such as motor control, power supplies, and inverters. Its robust design and ability to handle high voltage and current make it suitable for demanding industrial and automotive applications.
Package

The HGTG30N60A4D chip is available in a TO-247 package type, with a transistor form. As for the size, it follows the industry standard TO-247 dimensions, which measure approximately 26.16mm x 15.9mm x 5.5mm.