このウェブサイトは Cookie を使用しています。このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。詳細については、こちらをご覧くださいプライバシーポリシー.

画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

注文金額が

$5000

得る $50 割引 !

IXFH26N50Q

Name: IXFH26N50Q
Rating: 4.5 (10 reviews)

Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.2ohm

ブランド: IXYS

製造元部品 #: IXFH26N50Q

データシート: IXFH26N50Q データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 5,149 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

簡単な見積もり

RFQを提出してください IXFH26N50Q またはメールでご連絡ください: メール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

数量^*

メール^*

連絡先名^*

会社

述べる

IXFH26N50Q 概要

Introducing the advanced IXFH26N50Q Power MOSFET from the Q-Class series, designed for high-performance applications where efficiency and reliability are key. With its low gate charge and robust construction, this HiPerFET™ device is ideal for both hard switching and resonant mode operations, delivering exceptional performance in a range of industrial settings. Whether you're looking for a MOSFET with a fast intrinsic diode or superior ruggedness, the IXFH26N50Q has you covered

特徴

High-voltage withstand capability
Ruggedized gate oxide structure
Robust inductorless startup

応用

High efficiency
Versatile applications
Cutting-edge design

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Series	HiPerFET™	Package	Tube
Product Status	Obsolete	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	26A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	200mOhm @ 13A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	95 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3900 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	300W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Supplier Device Package	TO-247AD (IXFH)	Package / Case	TO-247-3
Base Product Number	IXFH26

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IXFH26N50Q is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for high-speed, high-voltage switching applications. It operates at a voltage of 500V and can handle a continuous current of 26A. This chip is commonly used in power supplies, motor control, and other industrial applications.
Equivalent

Equivalent products of IXFH26N50Q chip include Infineon's IXFH20N50Q, IXFH22N50Q, and IXFH30N50Q. These are also MOSFET transistors with similar specifications and functionality.
Features

IXFH26N50Q is a 500V, 26A, Q-Class HiPerFET power MOSFET with a low RDS(on) of 0.13 ohms. It is designed for high performance applications, offers low switching losses, fast switching speeds, and high frequency operation. It also has a rugged and reliable design for demanding industrial and power conversion applications.
Pinout

The IXFH26N50Q is a 3-pin TO-247 package IGBT transistor with a pin count of 3, including gate, collector, and emitter pins. The function of this transistor is to act as a high voltage, high-speed switch used in power electronic applications such as motor drives, inverters, and power supplies.
Manufacturer

The IXFH26N50Q is manufactured by IXYS Corporation, a company that specializes in the design, manufacture, and marketing of power semiconductors used in a variety of industries including telecommunications, industrial, medical, and consumer electronics. Their products are known for their reliability and efficiency in power conversion applications.
Application Field

The IXFH26N50Q is a high power N-channel IGBT used in various power electronic applications such as motor drives, inverters, and power supplies. It is also suitable for industrial and commercial applications where high efficiency, fast switching, and high current handling capabilities are required.
Package

The IXFH26N50Q chip comes in a TO-247 package. It is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) with a standard through-hole form and a size of approximately 20.32mm x 9.91mm x 4.32mm.