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IRF8313PBF

Name: IRF8313PBF
Rating: 4.5 (10 reviews)

IRF8313PBF 30V 9.7A 15.5mΩ@10V,9.7A 2W 2.35V@25uA

ブランド: IR

製造元部品 #: IRF8313PBF

データシート: IRF8313PBF データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOP8

RoHS ステータス:

在庫状況: 60 個、新しいオリジナル

製品の種類: FET, MOSFET Arrays

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$0.645	$0.645
10	$0.529	$5.290
30	$0.469	$14.070
95	$0.411	$39.045
475	$0.377	$179.075
1045	$0.359	$375.155

在庫あり: 60 PCS

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IRF8313PBF 概要

Featuring two elements in a compact MS-012AA package, this transistor offers high reliability and performance in a small footprint. Its metal-oxide semiconductor design ensures high switching speeds and low power losses, making it suitable for a wide range of industrial and automotive applications

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOIC-8	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	2 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	9.7 A	Rds On - Drain-Source Resistance	21.6 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Qg - Gate Charge	6 nC
Pd - Power Dissipation	2 W	Brand	Infineon Technologies
Configuration	Dual	Height	1.75 mm
Length	4.9 mm	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	95	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	2 N-Channel	Width	3.9 mm
Part # Aliases	SP001570694

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

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支払条件		ハンドフィー
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	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IRF8313PBF is a power MOSFET transistor chip designed for switching applications with high efficiency and fast switching speeds. It has a low on-resistance and can handle high current loads, making it suitable for power management in various electronic devices.
Equivalent

Equivalent products to the IRF8313PBF chip include the IRF4905PBF, IRF4905SPBF, IRF9Z34NPBF, and IRF7105PBF. These chips are all power MOSFET transistors designed for high current applications in power supplies, motor controls, and other electronic devices.
Features

The IRF8313PBF is a 30V N-channel power MOSFET with a low on-state resistance of 5.4mΩ, making it ideal for high-efficiency power management applications. It has a compact TO-220 package, a 12A continuous drain current, and a 50A pulsed drain current. It is suitable for use in switching regulators, DC-DC converters, and power management circuits.
Pinout

The IRF8313PBF is a MOSFET transistor with a pin count of 6. Pin 1 is the gate, Pin 2 is the drain, and Pin 3 is the source. Pin 4, 5, and 6 are internally connected and serve as the drain connection.
Manufacturer

The IRF8313PBF is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon is a leading global provider of semiconductor solutions for automotive, industrial, communication, and digital security applications. They specialize in power semiconductors, digital security solutions, and sensors for smart home and connected devices.
Application Field

The IRF8313PBF is a P-channel power MOSFET commonly used in various applications such as power management, battery protection, load switching, and DC-DC converter circuits. It is suitable for use in portable electronics, motor control, automotive, industrial, and consumer electronics applications due to its high efficiency and low on-state resistance.
Package

The IRF8313PBF chip is a surface mount package, specifically a Dual N-Channel Power MOSFET. It comes in a form of a transistor with two channels. The size of the chip is standard for surface mount components, commonly around 3.3mm x 3.3mm.