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HGTG20N60B3

Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A Collector Current, 600V Breakdown Voltage, N-Channel, TO-247

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: HGTG20N60B3

データシート: HGTG20N60B3 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-3

製品の種類: Single IGBTs

RoHS ステータス:

在庫状況: 7,040 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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HGTG20N60B3 概要

Delving deeper, the HGTG20N60B3 is tailor-made for applications such as motor control, power supplies, and inverters, where seamless switching transitions are non-negotiable. Leveraging Fairchild's cutting-edge trench gate technology, this transistor reduces switching losses to the minimum and subsequently enhances overall energy efficiency. Equipped with a rapid recovery body diode, bidirectional current flow is facilitated, amplifying its performance when handling inductive loads with precision and finesse

特徴

  • Compact size and lightweight design
  • Easy installation and maintenance friendly
  • Low power consumption and high efficiency
  • Good vibration resistance and durability
  • Rapid recovery time and low inrush current
  • High surge withstand capability and overvoltage protection

応用

  • Durable construction
  • Cost-effective solution

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Product Category IGBT Transistors RoHS Details
Technology Si Package / Case TO-247-3
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, 20 V Continuous Collector Current at 25 C 40 A
Pd - Power Dissipation 165 W Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 150 C Series HGTG20N60B3
Brand onsemi / Fairchild Continuous Collector Current 40 A
Continuous Collector Current Ic Max 40 A Gate-Emitter Leakage Current +/- 100 nA
Height 4.82 mm Length 15.87 mm
Product Type IGBT Transistors Factory Pack Quantity 450
Subcategory IGBTs Width 20.82 mm
Part # Aliases HGTG20N60B3_NL

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

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  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • HGTG20N60B3 is a high-speed, high-power insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip designed for use in industrial and automotive applications. It offers low conduction and switching losses, allowing for efficient power management in a variety of systems. Its advanced technology and robust design make it a popular choice for high-performance applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products to the HGTG20N60B3 chip are Infineon IGBT Modules like FF200R12KE3 or FF300R12KE3. You can also consider Fairchild Semiconductor's EconoDUAL 3 modules such as FJ1000R07KE3 or FJ200R07KE3 as alternatives. These products have similar specifications and performance characteristics to the HGTG20N60B3 chip.
  • Features

    1. 600V IGBT with ultrafast soft recovery diode 2. High frequency operation 3. High input impedance 4. Short circuit rated 5. Low gate charge 6. Square RBSOA 7. TO-247 package with added Kelvin source 8. Low saturation voltage
  • Pinout

    The HGTG20N60B3 is a 3-terminal IGBT module with a pin count of 3. Pin 1 is the Gate (G) which is used to control the switching of the IGBT. Pin 2 is the Emitter (E) which is connected to the ground. Pin 3 is the Collector (C) which is connected to the load.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the HGTG20N60B3 is Infineon Technologies, a German semiconductor company that produces a wide range of power devices and solutions for various industries such as automotive, industrial, and renewable energy. Infineon is known for its high-quality and reliable semiconductor products for power electronics applications.
  • Application Field

    The HGTG20N60B3 is commonly used in power factor correction circuits, switch mode power supplies, motor control applications, and general purpose inverter circuits. It is also suitable for applications in industrial and consumer electronics, as well as medical equipment and renewable energy systems.
  • Package

    The HGTG20N60B3 is a IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip in TO-247 package type. It is in a through-hole form and has a size of 23.7mm x 10.2mm x 5.5mm.

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