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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

ON FQA8N100C

Name: FQA8N100C
Rating: 4.5 (6 reviews)

Maximum voltage rating: 1000V

ブランド: Onsemi

製造元部品 #: FQA8N100C

データシート: FQA8N100C Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-3PN-3

製品の種類: トランジスタ

RoHS ステータス:

在庫状況: 3138 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FQA8N100C 概要

MOSFET, N CH, 1KV, 8A, TO-3PN-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8A; Drain Source Voltage Vds: 1kV; On Resistance Rds(on): 1.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Di

特徴

8A, 1000V, R_DS(on) = 1.45Ω(Max.) @V_GS = 10 V, I_D = 4A
Low gate charge ( Typ. 53nC)
Low C_rss ( Typ. 16pF)
100% avalanche tested

応用

Uninterruptible Power Supply
Other Industrial

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Package / Case	TO-3PN-3
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1 kV	Id - Continuous Drain Current	8 A
Rds On - Drain-Source Resistance	1.45 Ohms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3 V	Qg - Gate Charge	70 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	225 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	QFET	Series	FQA8N100C
Brand	onsemi / Fairchild	Configuration	Single
Fall Time	80 ns	Forward Transconductance - Min	8 S
Height	20.1 mm	Length	16.2 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	95 ns
Factory Pack Quantity	450	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	MOSFET
Typical Turn-Off Delay Time	122 ns	Typical Turn-On Delay Time	50 ns
Width	5 mm

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The FQA8N100C is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip designed for high voltage applications. It offers a low on-resistance and is capable of handling high current levels. The chip is commonly used in power supplies, motor control, and other industrial applications.
Features

FQA8N100C is a high-voltage N-channel MOSFET with a maximum drain current of 8A, a breakdown voltage of 1000V, and a low on-resistance of 0.6Ω. It is designed for high-power switch mode applications, featuring a fast switching speed, high ruggedness, and low gate charge.
Pinout

The FQA8N100C is a power MOSFET with a TO-3P package. It has 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source, making it suitable for power applications.
Manufacturer

The manufacturer of the FQA8N100C is Fairchild Semiconductor. It is a semiconductor company that designs, develops, and manufactures semiconductor devices, including power and discrete products, as well as analog and mixed-signal integrated circuits.
Application Field

The FQA8N100C is a power MOSFET designed for high current, high-speed switching applications. It finds application in various areas such as motor control, power supplies, lighting systems, and automotive systems where efficient power handling and fast switching are required.
Package

The FQA8N100C chip comes in a TO-247 package type, with a Through Hole mounting form and a size of approximately 15.75mm x 5.21mm.