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ON FQD12N20LTM

N-Channel 200 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: ON Semiconductor, LLC

製造元部品 #: FQD12N20LTM

データシート: FQD12N20LTM Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-252

製品の種類: トランジスタ

RoHS ステータス:

在庫状況: 3315 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FQD12N20LTM 概要

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

fqd12n20ltm

特徴

  • 9A, 200V, RDS(on) = 280mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 4.5A
  • Low gate charge ( Typ. 16nC)
  • Low Crss ( Typ. 17pF)
  • 100% avalanche tested
  • Low level gate drive requirement allowing direct oprationfrom logic drivers

応用

  • LED TV
  • CRT/RPTV
  • AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
  • Workstation
  • Server & Mainframe

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Status Active CAD Models
Compliance PbAHP Package Type DPAK-3 / TO-252-3
Case Outline 369AS MSL Type 1
MSL Temp (°C) 260 Container Type REEL
Container Qty. 2500 ON Target Y
Channel Polarity N-Channel Configuration Single
V(BR)DSS Min (V) 200 VGS Max (V) ±30
VGS(th) Max (V) 2 ID Max (A) 9
PD Max (W) 55 RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) -
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) 320 RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) 280
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) - Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 16
Ciss Typ (pF) 830 Pricing ($/Unit) $0.3072Sample
feature-category Power MOSFET feature-material
feature-process-technology DMOS feature-configuration Single
feature-channel-mode Enhancement feature-channel-type N
feature-number-of-elements-per-chip 1 feature-maximum-drain-source-voltage-v 200
feature-maximum-gate-source-voltage-v ±20 feature-maximum-gate-threshold-voltage-v 2
feature-maximum-continuous-drain-current-a 9 feature-maximum-drain-source-resistance-mohm 280@10V
feature-typical-gate-charge-vgs-nc 16@5V feature-typical-gate-charge-10v-nc
feature-typical-input-capacitance-vds-pf 830@25V feature-typical-output-capacitance-pf
feature-maximum-power-dissipation-mw 2500 feature-packaging Tape and Reel
feature-rad-hard feature-pin-count 3
feature-supplier-package DPAK feature-standard-package-name1 TO-252
feature-cecc-qualified No feature-esd-protection
feature-military No feature-aec-qualified No
feature-aec-qualified-number feature-auto-motive No
feature-p-pap No feature-eccn-code EAR99
feature-svhc Yes

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

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支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The FQD12N20LTM chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-performance applications. It has a low on-resistance and a high switching speed, making it suitable for a variety of power management tasks. The chip can handle a maximum drain current of 12A and a maximum voltage of 200V. It is commonly used in applications such as motor control, power supplies, and inverters.
  • Equivalent

    There are no direct equivalent products of the FQD12N20LTM chip, as it is a specific transistor designed by Fairchild Semiconductor. However, there may be alternative transistors with similar specifications and features that can be used in its place.
  • Features

    The FQD12N20LTM is a 200V N-Channel MOSFET transistor. It features a low on-resistance, fast switching speed, high ruggedness, and is designed for various power switching applications.
  • Pinout

    The FQD12N20LTM is a 200V, N-channel MOSFET. It has a TO-252 package with 3 pins. Pin 1 is the gate, pin 2 is the drain, and pin 3 is the source.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FQD12N20LTM is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company specializing in power and analog semiconductor products.
  • Application Field

    The FQD12N20LTM is a power MOSFET transistor commonly used in various applications such as power supplies, motor control, and high-frequency circuits. It is particularly suitable for applications where high power and high efficiency are required due to its low on-resistance and fast switching capabilities.
  • Package

    The FQD12N20LTM chip is a MOSFET transistor. It is available in a TO-252 (DPAK) package type, which has three pins. The size of the package is around 6.6mm x 6.2mm x 1.7mm.

データシート PDF

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