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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

ON FQB5N90TM

Name: FQB5N90TM
Rating: 4.5 (5 reviews)

N-Channel 900 V 5.4A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

ブランド: ON Semiconductor, LLC

製造元部品 #: FQB5N90TM

データシート: FQB5N90TM Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-263

製品の種類: トランジスタ

RoHS ステータス:

在庫状況: 3404 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FQB5N90TM 概要

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

特徴

5.4A, 900V, R_DS(on) = 2.3Ω(Max.) @V_GS = 10 V, I_D = 2.7A
Low gate charge ( Typ. 31nC)
Low C_rss ( Typ. 13pF)
100% avalanche tested
RoHS compliant

応用

Lighting

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Source Content uid	FQB5N90TM	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Ihs Manufacturer	ONSEMI
Package Description	D2PAK-3	Manufacturer Package Code	418AJ
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	51 Weeks	Samacsys Manufacturer	onsemi
Avalanche Energy Rating (Eas)	660 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	900 V
Drain Current-Max (ID)	5.4 A	Drain-source On Resistance-Max	2.3 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-263AB
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)	245	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	158 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	21.6 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
feature-category	Power MOSFET	feature-material
feature-process-technology	DMOS	feature-configuration	Single
feature-channel-mode	Enhancement	feature-channel-type	N
feature-number-of-elements-per-chip	1	feature-maximum-drain-source-voltage-v	900
feature-maximum-gate-source-voltage-v	±30	feature-maximum-gate-threshold-voltage-v	5
feature-maximum-continuous-drain-current-a	5.4	feature-maximum-drain-source-resistance-mohm	2300@10V
feature-typical-gate-charge-vgs-nc	31@10V	feature-typical-gate-charge-10v-nc	31
feature-typical-input-capacitance-vds-pf	1200@25V	feature-typical-output-capacitance-pf
feature-maximum-power-dissipation-mw	3130	feature-packaging	Tape and Reel
feature-rad-hard		feature-pin-count	3
feature-supplier-package	D2PAK	feature-standard-package-name1	TO-263
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-aec-qualified-number		feature-auto-motive	No
feature-p-pap	No	feature-eccn-code	EAR99
feature-svhc	Yes

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The FQB5N90TM chip is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for various electronic applications. It offers a low on-resistance, allowing efficient power handling, and has high reliability and robustness. The chip's advanced features and performance make it suitable for applications such as power supplies, motor control, and audio amplification.
Features

The FQB5N90TM is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage rating of 900V and a continuous drain current of 5A. It has a low gate charge and high switching speed, making it suitable for high-frequency applications. The transistor also has a low on-resistance and low capacitance, enabling efficient power management.
Pinout

The FQB5N90TM is a MOSFET transistor with 3 pins. The pin-out configuration is Gate (G), Drain (D), and Source (S). The Gate pin is used to control the flow of current between the Drain and Source pins.
Manufacturer

The manufacturer of the FQB5N90TM is Fairchild Semiconductor. It is a semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of power semiconductors, discrete semiconductors, and integrated circuits.
Application Field

The FQB5N90TM is a power MOSFET transistor commonly used in high-voltage applications such as switch-mode power supplies, motor control, and lighting. Its high voltage rating and low on-state resistance make it suitable for various power conversion and control circuits that require efficient and reliable operation.
Package

The FQB5N90TM chip is available in a TO-263 package type, commonly known as a D2PAK form. Its dimensions or size fall within the standard specifications for a TO-263 package, measuring approximately 10.28mm x 15.27mm x 4.57mm.