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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

ON FDS6612A

Name: FDS6612A
Rating: 4.5 (6 reviews)

N-Channel 30 V 8.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

ブランド: ON Semiconductor, LLC

製造元部品 #: FDS6612A

データシート: FDS6612A Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: SOIC-8

製品の種類: トランジスタ

RoHS ステータス:

在庫状況: 2188 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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FDS6612A 概要

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using an advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
These devices are well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.

特徴

8.4 A, 30 V
R_DS(ON) = 22 mΩ @ V_GS = 10 V
R_DS(ON) = 30 mΩ @ V_GS = 4.5 V
Fast switching speed
Low gate charge
High performance trench technology for extremely low R_DS(ON)
High power and current handling capability

応用

This product is general usage and suitable for many different applications.

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Source Content uid	FDS6612A	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Ihs Manufacturer	ONSEMI
Package Description	SOP-8	Manufacturer Package Code	751EB
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.95	Factory Lead Time	4 Weeks
Samacsys Manufacturer	onsemi	Additional Feature	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Application	SWITCHING	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 Code	R-PDSO-G8
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Element Material	SILICON	feature-category	Power MOSFET
feature-material		feature-process-technology	TMOS
feature-configuration	Single Quad Drain Triple Source	feature-channel-mode	Enhancement
feature-channel-type	N	feature-number-of-elements-per-chip	1
feature-maximum-drain-source-voltage-v	30	feature-maximum-gate-source-voltage-v	±20
feature-maximum-gate-threshold-voltage-v		feature-maximum-continuous-drain-current-a	8.4
feature-maximum-drain-source-resistance-mohm	22@10V	feature-typical-gate-charge-vgs-nc	5.4@5V
feature-typical-gate-charge-10v-nc		feature-typical-input-capacitance-vds-pf	560@15V
feature-typical-output-capacitance-pf		feature-maximum-power-dissipation-mw	2500
feature-packaging	Tape and Reel	feature-rad-hard
feature-pin-count	8	feature-supplier-package	SOIC
feature-standard-package-name1	SO	feature-cecc-qualified	No
feature-esd-protection		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc	No
feature-svhc-exceeds-threshold	No

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The FDS6612A chip is a power MOSFET transistor designed for low voltage applications. It has a low on-resistance and is capable of handling high currents. The chip can be used in various electronic devices where efficient power switching is required, such as power management circuits, motor control, and battery protection circuits.
Equivalent

There are no direct equivalent products to the FDS6612A chip. However, some possible alternatives that offer similar functionality include the IRLML2402, IRLML6401, and IRLML6402 chips. It is recommended to consult the datasheets of these chips to determine if they meet the specific requirements of your application.
Features

The FDS6612A is a small signal N-channel MOSFET transistor. It has a low on-resistance of 2.6 ohms and a maximum drain current of 3.7A. The device is designed for applications where low voltage, high speed, and low power dissipation are important factors.
Pinout

The FDS6612A is a dual N-channel PowerTrench MOSFET with a pin count of 8. The pins serve the following functions: pin 1 is the drain of MOSFET 1, pin 2 is the gate of MOSFET 1, pin 3 is the source of MOSFET 1, pin 4 is the gate of MOSFET 2, pin 5 is the drain of MOSFET 2, pin 6 is the source of MOSFET 2, pin 7 is connected internally, and pin 8 is the exposed thermal pad.
Manufacturer

The manufacturer of the FDS6612A is Fairchild Semiconductor. It is an American company that specializes in the design, development, and production of a wide range of semiconductor devices.
Application Field

The FDS6612A is a power MOSFET transistor designed for use in low voltage applications such as battery chargers, power management circuits, and DC-DC converters. Its low on-resistance and high-speed switching capabilities make it suitable for various applications where efficient power handling is required.
Package

The FDS6612A chip has a small outline package (SOP) type, with a form of surface mount equipment (SMT). It has a size of 8 pins.