このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

Infineon BSC350N20NSFDATMA1

Trans MOSFET N-CH 200V 35A 8-Pin TDSON EP T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Infineon Technologies Corporation

製造元部品 #: BSC350N20NSFDATMA1

データシート: BSC350N20NSFDATMA1 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: PG-TDSON-8

製品の種類: トランジスタ

RoHS ステータス:

在庫状況: 3932 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

ボムに追加

簡単な見積もり

RFQを提出してください BSC350N20NSFDATMA1 またはメールでご連絡ください: メール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

BSC350N20NSFDATMA1 概要

New OptiMOS Fast Diode (FD), Infineons latest generation of power MOSFETs in 200V, 250V and 300V is optimized for body diode hard commutation. The new devices are the perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control and DC-AC inverter. | Summary of Features: Improved hard commutation ruggedness; Optimized hard switching behavior; Industrys lowest R ds(on), Q g and Q rr; RoHS compliant - halogen free | Benefits: Highest system reliability; System cost reduction; Highest efficiency and power density; Easy-to-design products | Target Applications: Telecom; Class D audio amplifier; Motor control for 48-110V systems; Industrial power supplies; DC-AC inverter

特徴

  • Improved hard commutation ruggedness
  • Optimized hard switching behavior
  • Industry’s lowest R ds(on), Q g and Q rr
  • RoHS compliant - halogen free
  • Highest system reliability
  • System cost reduction
  • Highest efficiency and power density
  • Easy-to-design products

応用

  • Telecom
  • Class D audio amplifier
  • Motor control  for 48-110V systems
  • Industrial power supplies
  • DC-AC inverter

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
RoHS: Y Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TDSON-8
Number of Channels: 1 Channel Transistor Polarity: N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 200 V Id - Continuous Drain Current: 35 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 31 mOhms Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2 V
Vgs - Gate-Source Voltage: 20 V Qg - Gate Charge: 30 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 175 C
Pd - Power Dissipation: 150 W Configuration: Single
Channel Mode: Enhancement Tradename: OptiMOS
Packaging: Reel Series: OptiMOS Fast Diode
Transistor Type: 1 N-Channel Brand: Infineon Technologies
Forward Transconductance - Min: 29 S Fall Time: 4.8 ns
Product Type: MOSFET Rise Time: 4.8 ns
Factory Pack Quantity: 5000 Subcategory: MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time: 17 ns Typical Turn-On Delay Time: 8 ns
Part # Aliases: BSC350N20NSFD SP001108124 Tags BSC3, BSC
RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The BSC350N20NSFDATMA1 chip is a power MOSFET designed for efficient power management in various applications such as industrial, automotive, and consumer electronics. It offers low on-resistance and high power density, improving system performance and energy efficiency. With its advanced features and robust design, the BSC350N20NSFDATMA1 chip is an ideal choice for modern power management solutions.
  • Equivalent

    The equivalent products of the BSC350N20NSFDATMA1 chip are the AOT352M and the AOT352MN.
  • Features

    The BSC350N20NSFDATMA1 is a N-channel power MOSFET transistor designed with low on-resistance and high current capability. It has a voltage rating of 200V and a maximum continuous drain current of 175A. This transistor is suitable for a wide range of applications requiring high power and efficiency.
  • Pinout

    The BSC350N20NSFDATMA1 is a power MOSFET with a pin count of 3. The pin functions are: 1. Gate: Controls the on/off state of the transistor. 2. Source: Provides the return path for the current flow. 3. Drain: Connects to the load and allows current to flow when the transistor is on.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the BSC350N20NSFDATMA1 is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor manufacturer that specializes in the design and production of a wide range of semiconductor products like power management, sensors, automotive electronics, and industrial automation.
  • Application Field

    The BSC350N20NSFDATMA1 is a power MOSFET transistor that can be used in various application areas such as motor control, power supplies, switched-mode power supplies, and automotive systems. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for applications that require efficient power switching and control.
  • Package

    The BSC350N20NSFDATMA1 chip is available in a TO-252 (DPAK) package type. It has a form factor of a discrete package with three leads, and its size is approximately 6.6mm x 10.52mm.

データシート PDF

暫定仕様書 BSC350N20NSFDATMA1 PDF ダウンロード

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • BSZ146N10LS5ATMA1

    BSZ146N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Power Field-Effect Transistor,

  • BSZ096N10LS5ATMA1

    BSZ096N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

  • IRFB4410ZPBF

    IRFB4410ZPBF

    Infineon

    IRFB4410ZPBF - Power Transistor Utilizing Trench T...

  • BSC070N10NS5ATMA1

    BSC070N10NS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

  • ISC060N10NM6ATMA1

    ISC060N10NM6ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

  • IRFH5010TRPBF

    IRFH5010TRPBF

    Infineon Technologies Corporation

    100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...