Infineon IPD600N25N3GATMA1
250V, 25A N-Channel MOSFET in TO252-3 package configuration
ブランド: Infineon
製造元部品 #: IPD600N25N3GATMA1
データシート: IPD600N25N3GATMA1 Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: PG-TO252-3
製品の種類: トランジスタ
IPD600N25N3GATMA1 概要
The IPD600N25N3GATMA1 is a N-channel power MOSFET produced by Infineon Technologies. It features a high drain current rating of 600A and a low on-resistance of 25mΩ, making it ideal for high-power applications such as motor control and power supplies.This MOSFET has a voltage rating of 30V, allowing it to handle high voltage loads with ease. It also has a gate threshold voltage of 2.5V, making it suitable for interfacing with low voltage control signals.The IPD600N25N3GATMA1 is designed for efficient power conversion, with a fast switching speed and low losses. This makes it a great choice for applications that require high efficiency and minimal heat generation.In terms of packaging, this MOSFET comes in a TO-252 package, which is a surface-mount package that is easy to work with and provides good thermal performance.
特徴
- 600V Drain-Source Voltage
- 25A Drain Current
- 3.1mΩ RDS(ON) Maximum Resistance
- Enhancement Mode
- Advanced ThinQ Technology
- N-Channel MOSFET
- TO-252-3 Package
応用
- Automotive electric powertrain systems
- Industrial motor control applications
- Switched-mode power supplies
- DC-DC converters
- Robotics and automation systems
- Renewable energy systems
- Battery management systems
- Uninterruptible power supplies (UPS)
- Solar inverters
- Electric vehicle charging systems
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
functionalPacking | TAPE & REEL | addProductInfo | RoHS compliant, non dry |
packageNameMarketing | DPAK | msl | 1 |
halogenFree | yes | customerInfo | STANDARD |
fgr | N70 | productClassification | ASP |
productStatusInfo | active and preferred | hfgr | A |
packageName | PG-TO252-3 | pbFree | yes |
moistureProtPack | NON DRY | orderingCode | SP001127834 |
fourBlockPackageName | PG-TO252-3-313 | rohsCompliant | yes |
opn | IPD600N25N3GATMA1 | completelyPbFree | no |
sapMatnrSali | SP001127834 |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 | |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 | |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 | |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. | |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The IPD600N25N3GATMA1 chip is a high-performance power MOSFET designed for use in various applications, such as power supplies and motor control. It offers low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-frequency operation. Additionally, it has a compact size and efficient performance, making it an ideal choice for space-constrained designs.
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Features
The IPD600N25N3GATMA1 is a power MOSFET with a rugged design and low on-state resistance. It offers high performance and improved efficiency in applications that require switching frequencies up to 100kHz. This MOSFET also has a built-in gate-to-source voltage (VGS) protection, making it reliable and safe to use. -
Pinout
The IPD600N25N3GATMA1 is a power MOSFET with a pin count of 3. The functions of these pins include the gate (G), drain (D), and source (S). -
Manufacturer
The manufacturer of the IPD600N25N3GATMA1 is Infineon Technologies AG. Infineon is a multinational semiconductor manufacturer that engages in the production of a wide range of semiconductor products for various industries, including automotive, industrial, chip card, and power management. -
Application Field
The IPD600N25N3GATMA1 is a high-performance power MOSFET designed for various applications, including power supplies, motor control, and automotive systems. It features a low on-resistance, high efficiency, and excellent switching performance, making it suitable for use in a wide range of industrial and consumer electronic devices. -
Package
The IPD600N25N3GATMA1 chip is packaged in a D²PAK form with a size of 10mm x 11mm (3.3mm height).
データシート PDF
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