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画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

Infineon BSZ096N10LS5ATMA1

Name: BSZ096N10LS5ATMA1
Rating: 4.5 (6 reviews)

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

ブランド: Infineon Technologies Corporation

製造元部品 #: BSZ096N10LS5ATMA1

データシート: BSZ096N10LS5ATMA1 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: PG-TSDSON-8

RoHS ステータス:

在庫状況: 3277 個、新しいオリジナル

製品の種類: トランジスタ

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$1.351	$1.351
200	$0.523	$104.600
500	$0.505	$252.500
1000	$0.497	$497.000

In Stock:3277 PCS

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BSZ096N10LS5ATMA1 概要

Infineon's new logic level OptiMOS 5 power MOSFETs are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The new devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figues of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(th)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers. | Summary of Features: Low R DS(on) in small package; Low gate charge; Lower output charge; Logic level compatibility | Benefits: Higher power density designs; Higher switching frequency; Reduced parts count wherever 5V supplies are available; Driven directly from microcontrollers (slow switching); System cost reduction | Target Applications: Wireless charging; Adapter; Telecom

特徴

Low R DS(on) in small package
Low gate charge
Lower output charge
Logic level compatibility
Higher power density designs
Higher switching frequency
Reduced parts count wherever 5V supplies are available
Driven directly from microcontrollers (slow switching)
System cost reduction

応用

Wireless charging

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	Infineon	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Y	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	TSDSON-8
Number of Channels:	1 Channel	Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V	Id - Continuous Drain Current:	40 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	9.6 mOhms	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.1 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	10 V	Qg - Gate Charge:	22 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	69 W	Configuration:	Single
Channel Mode:	Enhancement	Tradename:	OptiMOS
Packaging:	Reel	Height:	1.1 mm
Length:	3.3 mm	Series:	OptiMOS 5
Transistor Type:	1 N-Channel	Width:	3.3 mm
Brand:	Infineon Technologies	Forward Transconductance - Min:	22 S
Development Kit:	EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7	Fall Time:	5.3 ns
Product Type:	MOSFET	Rise Time:	4.6 ns
Factory Pack Quantity:	5000	Subcategory:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	21 ns	Typical Turn-On Delay Time:	5.7 ns
Part # Aliases:	BSZ096N10LS5 SP001352994	Unit Weight:	0.001295 oz
Tags	BSZ09, BSZ0, BSZ	RHoS	yes
PBFree	yes

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

BSZ096N10LS5ATMA1 is a power transistor chip designed for high-speed switching applications in power supplies, motor control, and LED lighting. It features a low on-state resistance, high current rating, and low gate charge for improved efficiency and performance. The chip is part of the SuperFET® MOSFET family from Infineon Technologies.
Equivalent

Equivalent products of BSZ096N10LS5ATMA1 chip are BSZ096N10LS5ATMA1A, BSZ097N10LS5ATMA1, BSZ098N10LS5ATMA1, BSZ099N10LS5ATMA1, BSZ100N10LS5ATMA1, and BSZ101N10LS5ATMA1. These are all similar chips with varying specifications that can be used interchangeably in different applications.
Features

BSZ096N10LS5ATMA1 is a N-channel 100V Power MOSFET with a low RDS(on) of 9.6mΩ and a high current rating of 76A, making it suitable for high power applications. It also features a TO-220 package with a D2PAK footprint, enhancing thermal performance and ease of mounting.
Pinout

The BSZ096N10LS5ATMA1 is a single N-channel 100V MOSFET transistor with a power package. It has 5 pins (Gate, Source, Drain, and two body diode pins). Pin functions include Gate (input), Source (ground), Drain (output), and body pins (connection to the internal body diodes).
Manufacturer

The manufacturer of the BSZ096N10LS5ATMA1 is Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturing company specializing in designing and producing high-performance semiconductors for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. They are known for their innovative products and technology solutions.
Application Field

The BSZ096N10LS5ATMA1 is a power MOSFET transistor commonly used in automotive applications such as power steering systems, electric pumps, and motor control. It is also used in industrial applications for power management, battery protection, and DC-DC converters due to its high efficiency and low power dissipation characteristics.
Package

The BSZ096N10LS5ATMA1 chip comes in a Power-SO8 package type and is in a surface-mount form. It has a size of 5mm x 6mm.