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NXP BLF6G27-10G

Name: BLF6G27-10G
Rating: 4.5 (10 reviews)

RF Mosfet 28 V 130 mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 19dB 2W CDFM2

ブランド: NXP

製造元部品 #: BLF6G27-10G

データシート: BLF6G27-10G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT975C

製品の種類: RF FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 8 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BLF6G27-10G 概要

RF Mosfet 28 V 130 mA 2.5GHz ~ 2.7GHz 19dB 2W CDFM2

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Package	Tray	Product Status	Obsolete
Technology	LDMOS	Frequency	2.5GHz ~ 2.7GHz
Gain	19dB	Voltage - Test	28 V
Current Rating (Amps)	3.5A	Current - Test	130 mA
Power - Output	2W	Voltage - Rated	65 V
Mounting Type	Surface Mount	Package / Case	SOT-975C
Supplier Device Package	CDFM2

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The BLF6G27-10G is a power amplifier chip designed for use in wireless communication systems. It operates in the frequency range of 2.5 GHz to 2.7 GHz and provides high output power with efficiency. The chip is suitable for applications such as Wi-Fi routers, small cell base stations, and wireless access points, offering improved performance and reliability in these devices.
Features

The BLF6G27-10G is a high-frequency RF power transistor with a frequency range from 800 to 3100 MHz. It offers a high power output of 10 watts and excellent efficiency, making it suitable for various RF applications. The transistor is designed with advanced technology, providing reliability and performance in demanding conditions.
Pinout

The BLF6G27-10G is a 10-watt GaN RF power transistor. It has a pin count of 3 and requires external filtering, impedance matching, and a DC/RF bias. The pins are: gate, drain, and source.
Manufacturer

The manufacturer of the BLF6G27-10G is NXP Semiconductors. NXP is a global semiconductor company that provides high-performance mixed-signal and standard product solutions. They specialize in offering solutions for automotive, industrial, Internet of Things (IoT), mobile, and communication sectors.
Application Field

The BLF6G27-10G is a power amplifier transistor primarily used in high-frequency communication systems, such as cellular base stations and small cell applications. It is designed for applications requiring high power and efficiency, making it suitable for wireless infrastructure deployments and advanced wireless communication technologies.