注文金額が
$5000NXP AFT27S006NT1
RF Mosfet 28 V 70 mA 2.17GHz 22dB 28.8dBm PLD-1.5W
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ブランド: NXP
製造元部品 #: AFT27S006NT1
データシート: AFT27S006NT1 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: PLD-1.5W
製品の種類: RF FETs, MOSFETs
AFT27S006NT1 概要
RF Mosfet 28 V 70 mA 2.17GHz 22dB 28.8dBm PLD-1.5W
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
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Manufacturer: | NXP | Product Category: | RF MOSFET Transistors |
RoHS: | Details | Transistor Polarity: | N-Channel |
Technology: | Si | Id - Continuous Drain Current: | 77 mA |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 65 V | Rds On - Drain-Source Resistance: | - |
Operating Frequency: | 728 MHz to 3.7 GHz | Gain: | 24.4 dB |
Output Power: | 28.8 dBm | Minimum Operating Temperature: | - 40 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Mounting Style: | SMD/SMT |
Packaging: | Cut Tape | Brand: | NXP Semiconductors |
Moisture Sensitive: | Yes | Product Type: | RF MOSFET Transistors |
Series: | AFT27S006N | Factory Pack Quantity: | 1000 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | LDMOS FET |
Type: | RF Power MOSFET | Part # Aliases: | 935323362515 |
Unit Weight: | 0.009877 oz |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The AFT27S006NT1 is a power amplifier chip designed for use in 4G LTE and 5G networks. It operates in the frequency range of 798-960 MHz and 1710-2690 MHz, providing high efficiency and output power for improved network performance. This chip is ideal for small cell base stations and other wireless infrastructure applications.
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Equivalent
The equivalent products of the AFT27S006NT1 chip are the AFT27S006NT2 and AFT27S006NT3 chips. These chips are designed to offer similar functionality and performance as the original AFT27S006NT1 chip and can be used as direct replacements in most applications. -
Features
AFT27S006NT1 is a GaN HEMT transistor with a 65W CW, 10-2700MHz power range, high gain, and efficiency. It has internal input and output matching networks for easy integration into RF amplifier designs. It is suitable for a wide range of applications in communications, radar, and defense systems. -
Pinout
The AFT27S006NT1 is a RF power amplifier with a pin count of 9. Its functions include amplifying RF signals, providing high output power, and operating within the 698-960 MHz frequency range. -
Manufacturer
AFT27S006NT1 is manufactured by Broadcom Inc. They are a global technology company that designs, develops, and supplies a broad range of semiconductor and infrastructure software solutions. Broadcom focuses on networking, storage, and industrial applications, providing products for data centers, cloud infrastructure, and wireless communication systems. -
Application Field
AFT27S006NT1 is a power amplifier designed for use in LTE and 5G wireless communication systems. It is suitable for applications such as small cells, macrocells, and repeaters in cellular networks. Additionally, it can be used in infrastructure applications for wireless broadband, public safety, and broadcast communications systems. -
Package
The AFT27S006NT1 chip is a surface mount package with a form factor of SOT-89. It measures 4.5mm x 4.5mm, making it a compact and versatile option for RF amplification applications.
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